Memorijski moduli izrađeni na osnovi Samsung B-die čipova su sigurno jedan od najpopularnijih izbora među entuzijastima. Međutim, južnokorejski proizvođač smatra ih zastarjelima i trenutno zaustavlja njihovu proizvodnju, nudeći umjesto njih druge DDR4 memorijske čipove, za čiju se proizvodnju koriste noviji tehnološki procesi. To znači da je životni ciklus nebufferiziranih DDR4 memorijskih modula Samsung, temeljenih na B-die čipovima, do sada završio, i ubrzo će nestati s tržišta. I drugi proizvođači koji koriste Samsung B-die čipove također će prekinuti isporuku sličnih modula.
Samsung B-die čipovi i memorijski moduli temeljeni na njima stekli su široko priznanje zbog svoje svestranosti i potencijala za overclocking. Odlično se skaliraju prema frekvenciji, dobro reagiraju na povećanje napona i dopuštaju rad pri izrazito agresivnim tajmingima. Poseban važan plus modula na bazi Samsung B-die čipova je njihova jednostavnost i široka kompatibilnost s različitim memorijskim kontrolerima, zbog čega su posebno omiljeni među vlasnicima sustava temeljenih na Ryzen procesorima.
Međutim, za proizvodnju B-die čipova koristi se prilično stari tehnološki proces od 20 nm, pa je želja kompanije Samsung da se odrekne proizvodnje takvih poluvodičkih uređaja u korist modernijih alternativa potpuno razumljiva. Nedavno je kompanija objavila početak proizvodnje DDR4 SDRAM čipova prema 1z-nm tehnologiji (treća generacija), dok se čipovi proizvedeni prema 1y-nm procesu (druga generacija) već proizvode više od godinu i pol. Na njih se proizvođač poziva kao na sljedeći korak. B-die čipovima je službeno dodijeljen status EOL (End of Life) - završetak životnog ciklusa.
Umjesto legendarnih čipova Samsung B-die, sada će se na tržištu početi pojavljivati druge ponude. Faze masovne proizvodnje dostigle su čipove M-die, za čiju su proizvodnju korištene tehnologije s normama 1y nm. Također, do faze kvalifikacijskog proizvodnje stigli su i čipovi A-die, koji se proizvode prema još naprednijoj tehnologiji s normama 1z nm. To znači da će memorija na čipovima M-die uskoro biti dostupna na tržištu, dok će moduli bazirani na mikročipovima A-die postati dostupni korisnicima u roku od šest mjeseci.
Glavna prednost novih čipova memorije s ažuriranim jezgama, osim modernih proizvodnih procesa i potencijalno viših frekvencija, je i njihova povećana kapacitet. Sposobni su za proizvodnju jednostranih DDR4 memorijskih modula s kapacitetom od 16 GB i dvostranih modula s kapacitetom od 32 GB, što ranije nije bilo moguće.
Treba napomenuti da ovog ljeta možemo očekivati značajne promjene u asortimanu postojećih DDR4 SDRAM memorijskih modula na tržištu. Pored novih čipova Samsung, na memorijskim modulima će također početi koristiti čipove E-die kompanije Micron i C-die kompanije SK Hynix. Sasvim je vjerojatno da će sve te promjene dovesti do povećanja ne samo prosječnog kapaciteta, već i frekventnog potencijala prosječnih DDR4 SDRAM modula.
Izvor: 3dnews.ru
