Francuzi su predstavili sedmorazinski GAA tranzistor sutrašnjice
Odavno nije tajna da će s 3nm procesnom tehnologijom tranzistori prijeći s vertikalnih FinFET kanala na horizontalne nanostraničke kanale potpuno okružene vratima ili GAA (gate-all-around). Danas je francuski institut CEA-Leti pokazao kako se procesi proizvodnje FinFET tranzistora mogu koristiti za proizvodnju GAA tranzistora na više razina. A održavanje kontinuiteta tehničkih procesa pouzdan je temelj za brzu transformaciju. Za VLSI Technology & Circuits Symposium […]