Sèl pwomotè nan mond lan nan chips memwa MRAM magnetoresistive disrè, Everspin Technologies, ap kontinye amelyore teknoloji pwodiksyon an. Jodi a Everspin ak GlobalFoundries ansanm pou devlope teknoloji pou pwodiksyon STT-MRAM microcircuits ak estanda 12 nm ak tranzistò FinFET.
Everspin gen plis pase 650 patant ak aplikasyon ki gen rapò ak memwa MRAM. Sa a se memwa, ekri nan yon selil ki sanble ak ekri enfòmasyon sou yon plak mayetik nan yon disk difisil. Se sèlman nan ka microcircuits, chak selil gen pwòp tèt li (kondisyonèlman) mayetik. Memwa STT-MRAM ki te ranplase l, ki baze sou efè transfè elèktron vire momantòm, opere ak menm pi ba pri enèji, paske li itilize pi ba kouran nan mòd ekri ak lekti.
Okòmansman, NXP te pwodwi memwa MRAM te bay lòd pa Everspin nan plant li nan USA a. Nan 2014, Everspin te antre nan yon akò travay ansanm ak GlobalFoundries. Ansanm, yo te kòmanse devlope pwosesis fabrikasyon disrè ak entegre MRAM (STT-MRAM) lè l sèvi avèk pwosesis manifakti ki pi avanse.
Apre yon tan, enstalasyon GlobalFoundries yo te lanse pwodiksyon chips STT-MRAM 40-nm ak 28-nm (ki fini ak yon nouvo pwodwi - yon chip STT-MRAM disrè 1-Gbit), epi tou li te prepare teknoloji pwosesis 22FDX pou entegre STT-. Etalaj MRAM nan kontwolè lè l sèvi avèk teknoloji pwosesis 22-nm nm sou plak FD-SOI. Nouvo akò ant Everspin ak GlobalFoundries pral mennen nan transfè pwodiksyon chips STT-MRAM nan teknoloji pwosesis 12-nm.
Memwa MRAM ap apwoche pèfòmans memwa SRAM epi li ka ranplase l nan kontwolè pou Entènèt bagay sa yo. An menm tan an, li pa temèt ak pi plis rezistan a mete pase memwa konvansyonèl NAND. Tranzisyon an nan estanda 12 nm pral ogmante dansite anrejistreman MRAM, e sa a se dezavantaj prensipal li yo.
Sous: 3dnews.ru