Nou deja fè tout yon seri ti randone foto sou Habré. Montre nou , gade nan laboratwa robotik la ak gade nan tematik nou an .
Jodi a nou pral di w sou kisa (ak kisa) youn nan laboratwa nou yo nan Sant Syantifik Entènasyonal pou Materyèl Fonksyonèl ak Aparèy Optoelectronics ap travay.
Nan foto a: difractomètr X-ray DRON-8
Kisa yo fè la a?
Laboratwa "Avanse Nanomateryèl ak Aparèy Optoelektwonik" te louvri sou baz Sant Syantifik Entènasyonal la, ki fè fas ak nouvo materyèl, ki gen ladan semi-conducteurs, metal, oksid nan yon eta nanostructured, nan bi pou yo itilize yo nan aparèy optoelektwonik ak aparèy.
Elèv, elèv gradye ak anplwaye laboratwa pwopriyete nanostrikti ak kreye nouvo aparèy semi-conducteurs pou mikwo- ak optoelektwonik. Devlopman yo te itilize nan jaden an nan enèji-efikas dirije ekleraj epi yo pral nan demann nan fiti prè nan elektwonik segondè-vòltaj pou griy entelijan ().
Nan kominote elèv la, sit rechèch la sou Lomonosov Street, bilding 9 yo rele "Laboratwa Romanov la", depi tou de Laboratwa a ak Sant lan gen nan tèt li - , Doktè nan Syans Fizik ak Matematik, dirijan pwofesè ak dwayen Fakilte Fotonik Lazè ak Optoelectronics nan ITMO University, otè de plis pase twasan piblikasyon syantifik ak gayan nan anpil sibvansyon entènasyonal syantifik ak prim.
Ekipman
Laboratwa a gen yon difractomètr X-ray DRON-8 ki soti nan konpayi Ris Burevestnik (pi wo a sou KDPV). Sa a se youn nan enstriman prensipal yo pou analize materyèl.
Li ede karakterize bon jan kalite a nan kristal yo ki kapab lakòz ak heterostructures pa mezire spectre difraksyon radyografi. Pou tretman tèmik nan estrikti mens-fim semiconductor yo ap devlope, nou itilize enstalasyon domestik sa a.
Nou itilize sistèm pilòt dènye modèl pou karakterize, modifye ak sòt LED yo. Ann pale sou premye a (foto anba a sou bò gòch la).
Sa a se yon dispansè presizyon . Li se yon sistèm otomatik pou dispanse likid gluan. Yon dispansè konsa se endispansab pou aplike avèk presizyon materyèl fosfò nan yon chip ki ap dirije yo nan lòd yo reyalize koulè a lumineux vle.
Okòmansman (pa default), LED blan nou abitye ak yo baze sou chips ki emèt nan seri ble a nan spectre vizib radyasyon elektwomayetik.
Aparèy sa a (nan foto jeneral la nan sant la) mezire aktyèl-vòltaj ak karakteristik espèk nan chips ki ap dirije ak magazen done yo mezire pou yon gwo kantite chips nan memwa òdinatè. Li nesesè yo tcheke paramèt elektrik ak optik echantiyon manifaktire yo. Men sa enstalasyon an sanble si ou louvri pòt ble yo:
Twazyèm aparèy la nan foto jeneral la se yon sistèm pou klasman ak prepare LED pou enstalasyon ki vin apre. Ki baze sou karakteristik yo ki mezire, li konpile yon paspò pou dirije a. Trieur a Lè sa a, asiyen li nan youn nan 256 kategori depann sou bon jan kalite a nan aparèy la semi-conducteurs (kategori 1 se poul ki pa klere, kategori 256 yo se sa yo ki klere pi klere nan yon seri espèk yo bay).
Nan Sant Rechèch Entènasyonal nou an nou ap travay tou sou kwasans materyèl semi-conducteurs ak heterostructures. Eterostrikti yo grandi lè l sèvi avèk epitaksi molekilè sou yon enstalasyon RIBER MBE 49 nan konpayi patnè Connector-Optics.
Pou jwenn kristal sèl oksid (ki se semi-conducteurs lajè espas) nan fonn nan, nou itilize yon enstalasyon kwasans multifonksyonèl NIKA-3 ki pwodui domestik. Wide-gap semi-conducteurs ka gen aplikasyon nan relè pouvwa nan lavni, wo-efikasite vètikal lazè VCSEL, detektè iltravyolèt, elatriye.
Pwojè
Nan sit Sant Syantifik Entènasyonal la, laboratwa nou an fè yon varyete rechèch fondamantal ak aplike.
Pou egzanp, ansanm ak chèchè nan Ufa State Aviation Technical University, nou nouvo kondiktè metal ak konduktivite ogmante ak gwo fòs. Pou kreye yo, yo itilize metòd entans deformation plastik. Se estrikti nan amann-grenn nan alyaj la sibi tretman chalè, ki redistribiye konsantrasyon nan atòm enpurte nan materyèl la. Kòm yon rezilta, paramèt konduktiviti yo ak karakteristik fòs nan materyèl la amelyore.
Anplwaye laboratwa yo ap devlope tou teknoloji pou fabrike transceiver optoelektwonik lè l sèvi avèk sikui entegre fotonik. Transceivers sa yo pral jwenn aplikasyon nan endistri a pou kreye sistèm transmisyon/resepsyon enfòmasyon ki wo-pèfòmans. Jodi a, yon seri enstriksyon deja prepare pou fabrike pwototip sous radyasyon ak fotodetektè. Yo te prepare tou dokiman konsepsyon pou tès yo.
Pwojè laboratwa enpòtan kreyasyon materyèl semi-conducteurs lajè espas ak nanostruktur ak dansite defo ki ba. Nan tan kap vini an, lè l sèvi avèk materyèl yo ap devlope, nou yo pral kapab pwodwi enèji-ekonomize aparèy semi-conducteurs ki poko gen analogue sou mache a.
Espesyalis nou yo deja Dirije, ki ka ranplase lanp iltravyolèt ki baze sou mèki ki pa an sekirite. Valè aparèy fabrike yo se nan lefèt ke pouvwa a nan asanble iltravyolèt dirije nou yo se plizyè fwa pi wo pase pouvwa a nan dirije endividyèl - 25 W kont 3 W. Nan lavni an, teknoloji a pral jwenn aplikasyon nan swen sante, tretman dlo ak lòt zòn kote yo itilize radyasyon iltravyolèt.
Yon gwoup syantifik ki soti nan Sant Syantifik Entènasyonal nou an ke aparèy optoelektwonik nan lavni pral sèvi ak pwopriyete yo remakab nan objè nano-gwosè - pwen pwopòsyon, ki gen paramèt optik espesyal. Pami yo - oswa ekla ki pa tèmik nan yon objè, ki itilize nan televizyon, smartphones ak lòt gadjèt ak ekspozisyon.
Nou deja kreyasyon an nan aparèy optoelektwonik ki sanble nan yon nouvo jenerasyon. Men, anvan gadjèt yo frape mache a, nou dwe travay sou teknoloji yo pou pwodwi materyèl ak konfime sekirite nan materyèl yo ki kapab lakòz pou itilizatè yo.
Lòt vizit foto nan laboratwa nou yo:
Sous: www.habr.com