Selon sous endistri yo nan Taiwan, ki Resous Entènèt DigiTimes, manifakti memwa Chinwa ChangXin Memory Technologies (CXMT) se nan tout swing prepare liy pou pwodiksyon an mas nan memwa LPDDR4. ChangXin, ke yo rele tou Innotron memwa, yo di li te devlope pwòp pwosesis pwodiksyon DRAM li yo lè l sèvi avèk teknoloji 19nm.
Pou pwodiksyon komèsyal nan memwa nan premye antrepriz 300 mm li yo, ChangXin te oblije nan premye mwatye 2019 la. Ay, sa poko rive. Men, kòmansman pwodiksyon 8-Gbit DDR4 LPDDR4 chips yo pral akonpaye pa yon ekspansyon kapasite nan 20 mil 300-nm Silisyòm wafers chak mwa. Kapasite maksimòm liy yo nan antrepriz ChangXin rive nan 125 mil 300 mm wafers pa mwa. Men, sa a se tou pa limit la. Konpayi an te di ke li pral kòmanse bati yon dezyèm plant ane pwochèn pou trete wafers memwa 300mm.
An menm tan an, manifakti Chinwa sa a ka fè fas a pwoblèm nan yon kalite diferan. Se pou nou sonje ke premye konpayi Chinwa ki te pral kòmanse pwodiksyon an mas nan memwa DRAM se Fujian Jinhua. USA ak yon entèdiksyon sou achte ekipman pwodiksyon nan men patnè Ameriken yo. Nan Taiwan, yo kwè ke ChangXin pral fè fas a menm pwoblèm ak Fujian. Anplis de sa, li te rekrite enjenyè ki kalifye nan ansyen sipòtè taywann nan Elpida Japonè a, ki gen biznis ki te absòbe pa Ameriken Micron la. Analis yo atann reklamasyon kont ChangXin soti nan Micron ak sanksyon si bò Chinwa a pa reponn.
Nan paralèl, ChangXin ap devlope yon pwosesis teknik pou pwodwi memwa ak estanda 17 nm. Yo espere fini devlopman an 2021. Pwobableman, dezyèm plant ChangXin la pral kòmanse travay ak pwodiksyon kristal DRAM ak estanda sa yo. Sòf si, nan kou, sanksyon US ak machinasyon Micron yo vin tounen yon obstak enfranchisabl sou wout li.
Sous: 3dnews.ru