Li enposib imajine plis devlopman nan mikwo-elektwonik san yo pa amelyore teknoloji pwodiksyon semi-conducteurs. Pou elaji fwontyè yo epi aprann kijan pou pwodui eleman ki pi piti sou kristal, yo bezwen nouvo teknoloji ak nouvo zouti. Youn nan teknoloji sa yo ta ka yon devlopman zouti pa syantis Ameriken yo.
Yon ekip chèchè ki soti nan laboratwa nasyonal Argonne Depatman Enèji Ameriken an yon nouvo teknik pou kreye ak grave fim mens sou sifas la nan kristal. Sa a kapab potansyèlman mennen nan pwodiksyon an nan chips nan yon echèl ki pi piti pase jodi a ak nan fiti prè. Etid la te pibliye nan jounal Chemistry of Materials.
Teknik yo pwopoze a sanble ak pwosesis tradisyonèl la ak grave, sèlman olye pou yo fim inòganik, nouvo teknoloji a kreye ak travay ak fim òganik. Aktyèlman, pa analoji, nouvo teknoloji a rele molekilè kouch depo (MLD, molekilè kouch depo) ak molekilè kouch grave (MLE, molekilè kouch grave).
Kòm nan ka a nan grave kouch atomik, metòd la MLE itilize tretman gaz nan yon chanm nan sifas la nan yon kristal ak fim nan yon materyèl ki baze sou òganik. Se kristal la siklik trete ak de gaz diferan altène jiskaske fim nan eklèsi nan yon epesè bay yo.
Pwosesis chimik yo sijè a lwa yo nan oto-règleman. Sa vle di ke kouch apre kouch yo retire respire ak nan yon fason kontwole. Si ou itilize fotomask, ou ka repwodui topoloji chip nan lavni sou chip la epi grave konsepsyon an ak presizyon ki pi wo.
Nan eksperyans la, syantis yo te itilize yon gaz ki gen sèl ityòm ak yon gaz ki baze sou trimetilaliminyòm pou grave molekilè. Pandan pwosesis la grave, konpoze an ityòm te reyaji ak sifas fim nan alucone nan yon fason ke ityòm te depoze sou sifas la epi detwi kosyon chimik nan fim nan. Lè sa a, trimethylaluminium te apwovizyone, ki retire kouch fim nan ak ityòm, ak sou sa youn pa youn jiskaske fim nan te redwi a epesè a vle. Bon kontwòlabilite nan pwosesis la, syantis yo kwè, ka pèmèt teknoloji yo pwopoze a pouse devlopman nan pwodiksyon semi-conducteurs.
Sous: 3dnews.ru