Kòm yo te rapòte anpil fwa, yon bagay bezwen fè ak yon tranzistò ki pi piti pase 5 nm. Jodi a, manifaktirè chip yo ap pwodwi solisyon ki pi avanse lè l sèvi avèk pòtay vètikal FinFET. Tranzistò FinFET yo ka toujou pwodui lè l sèvi avèk pwosesis teknik 5-nm ak 4-nm (kèlkeswa sa estanda sa yo vle di), men deja nan etap pwodiksyon semi-conducteurs 3-nm, estrikti FinFET sispann travay jan yo ta dwe. Pòtay yo nan tranzistò yo twò piti epi vòltaj kontwòl la pa ba ase pou tranzistò yo kontinye fè fonksyon yo kòm pòtay nan sikui entegre. Se poutèt sa, endistri a ak, an patikilye, Samsung, kòmanse nan teknoloji a pwosesis 3nm, pral chanje nan pwodiksyon an nan tranzistò ak bag oswa tout-englobe pòtay GAA (Gate-All-Around). Avèk yon lage laprès resan, Samsung jis prezante yon enfografi vizyèl sou estrikti nouvo tranzistò ak avantaj ki genyen nan sèvi ak yo.
Jan yo montre nan ilistrasyon ki anwo a, kòm estanda fabrikasyon yo te bese, pòtay yo te evolye soti nan estrikti planè ki ta ka kontwole yon sèl zòn anba pòtay la, nan chanèl vètikal ki antoure pa yon pòtay sou twa bò, epi finalman deplase pi pre chanèl ki antoure pa pòtay ak tout kat kote yo. Tout chemen sa a te akonpaye pa yon ogmantasyon nan zòn nan pòtay alantou kanal la kontwole, ki te fè li posib diminye ekipman pou pouvwa a nan tranzistò yo san yo pa konpwomèt karakteristik aktyèl yo nan tranzistò yo, Se poutèt sa, ki mennen nan yon ogmantasyon nan pèfòmans nan tranzistò yo. ak yon diminisyon nan kouran flit. Nan sans sa a, tranzistò GAA yo pral vin yon nouvo kouwòn nan kreyasyon epi yo pa pral mande pou retravay enpòtan nan pwosesis klasik CMOS teknolojik.
Chanèl ki antoure pa pòtay la ka pwodwi swa nan fòm lan nan pon mens (nanowires) oswa nan fòm lan nan pon lajè oswa nanopaj. Samsung anonse chwa li an favè nanopaj ak reklamasyon pou pwoteje devlopman li ak patant, byenke li devlope tout estrikti sa yo pandan li toujou antre nan yon alyans ak IBM ak lòt konpayi, pou egzanp, ak AMD. Samsung pa pral rele nouvo tranzistò GAA, men non MBCFET (Multi Bridge Channel FET). Paj lajè chanèl pral bay kouran enpòtan, ki difisil pou reyalize nan ka chanèl nanowire.
Tranzisyon an nan pòtay bag pral amelyore efikasite enèji nouvo estrikti tranzistò yo. Sa vle di ke vòltaj ekipman pou tranzistò yo ka redwi. Pou estrikti FinFET, konpayi an rele papòt rediksyon pouvwa kondisyonèl 0,75 V. Tranzisyon an nan tranzistò MBCFET pral bese limit sa a menm pi ba.
Konpayi an rele pwochen avantaj nan tranzistò MBCFET ekstraòdinè fleksibilite nan solisyon yo. Se konsa, si karakteristik sa yo nan tranzistò FinFET nan etap pwodiksyon an ka sèlman kontwole diskrèman, mete yon sèten kantite bor nan pwojè a pou chak tranzistò, Lè sa a, konsepsyon sikui ak tranzistò MBCFET pral sanble ak akor ki pi rafine pou chak pwojè. Lè sa a pral trè senp fè: li pral ase yo chwazi lajè ki nesesè nan chanèl nanopaj, ak paramèt sa a ka chanje lineyè.
Pou pwodiksyon an nan tranzistò MBCFET, jan mansyone pi wo a, teknoloji a pwosesis klasik CMOS ak ekipman endistriyèl enstale nan faktori yo apwopriye san chanjman enpòtan. Se sèlman etap nan pwosesis nan gaufre Silisyòm pral mande pou modifikasyon minè, ki se konprann, e sa a tout. Sou pati nan gwoup kontak yo ak kouch metalizasyon, ou pa menm oblije chanje anyen.
An konklizyon, Samsung la pou premye fwa bay yon deskripsyon kalitatif nan amelyorasyon yo ke tranzisyon an nan teknoloji pwosesis 3nm ak tranzistò MBCFET pral pote avèk li (pou klarifye, Samsung pa dirèkteman pale sou teknoloji pwosesis 3nm la, men li te deja rapòte ke teknoloji pwosesis 4nm la ap toujou sèvi ak tranzistò FinFET). Se konsa, konpare ak teknoloji pwosesis 7nm FinFET, deplase nan nouvo nòmal la ak MBCFET pral bay yon rediksyon 50% nan konsomasyon, yon ogmantasyon 30% nan pèfòmans, ak yon rediksyon 45% nan zòn chip. Pa "swa, oswa", men an totalite. Kilè sa pral rive? Li ka rive nan fen 2021.
Sous: 3dnews.ru