Nem egyszer megjegyeztük, hogy a tápegységek „mindenünkké” válnak. A mobil elektronika, az elektromos járművek, a dolgok internete, az energiatárolás és még sok minden más az áramellátás és a feszültségátalakítás folyamatát az elektronika első legfontosabb pozícióihoz hozzák. Forgácsok és diszkrét elemek előállítására szolgáló technológia olyan anyagok felhasználásával, mint pl
Gallium-nitrid szilícium technológiával SOI (szilícium szigetelőn) lapkákon az Imec szakemberei egylapkás félhíd konvertert készítettek. Ez egyike a három klasszikus lehetőségnek a teljesítménykapcsolók (tranzisztorok) csatlakoztatására a feszültséginverterek létrehozásához. Általában egy áramkör megvalósításához egy sor diszkrét elemet vesznek fel. Egy bizonyos tömörség elérése érdekében egy elemkészletet is egy közös csomagba helyeznek, ami nem változtat azon a tényen, hogy az áramkört egyedi alkatrészekből állítják össze. A belgáknak sikerült egykristályon reprodukálniuk a félhíd szinte minden elemét: tranzisztorokat, kondenzátorokat és ellenállásokat. A megoldás lehetővé tette a feszültségátalakítás hatékonyságának növelését azáltal, hogy csökkentette számos, az átalakítási áramköröket általában kísérő parazita jelenséget.
A konferencián bemutatott prototípusban az integrált GaN-IC chip egy 48 voltos bemeneti feszültséget alakított át 1 MHz-es kapcsolási frekvenciájú 1 voltos kimeneti feszültséggé. A megoldás meglehetősen drágának tűnhet, főleg ha figyelembe vesszük a SOI lapkák használatát, de a kutatók hangsúlyozzák, hogy a magas szintű integráció bőven ellensúlyozza a költségeket. Az inverterek diszkrét alkatrészekből történő előállítása értelemszerűen drágább lesz.
Forrás: 3dnews.ru