A tajvani iparági források szerint, amelyek a DigiTimes internetes portálra hivatkoznak, a kínai memória gyártó, a ChangXin Memory Technologies (CXMT) teljes gőzzel készíti elő a vonalait az LPDDR4 memória tömeggyártására. A ChangXin, amelyet Innotron Memory néven is ismernek, állítása szerint kifejlesztette a saját DRAM gyártási technológiáját 19 nm-es technológiai szabványok felhasználásával.
A ChangXin-nak a kereskedelmi forgalomba hozatalhoz az első 300 mm-es üzemében 2019 első felében. Sajnos, ez még nem történt meg. Az 8 Gb DDR4 LPDDR4 chipek gyártásának megkezdése mellett a kapacitások havi 20 000 db 300 mm-es szilícium alaplapra történő bővítésével is el fogják kísérni. A ChangXin üzemének maximális kapacitása havi 125 000 db 300 mm-es lemez. De ez sem a végállomás. A cég bejelentette, hogy jövőre megkezdi a második gyár építését a 300 mm-es alaplapok memóriafeldolgozására.
Ugyanakkor ennek a kínai gyártónak más típusú problémákkal is meg kell küzdenie. Emlékeztetünk arra, hogy az első kínai vállalat, amely a DRAM memória tömeggyártását akarta megkezdeni – a Fujian Jinhua – az Egyesült Államokban, ami megtiltja számukra, hogy amerikai partnerektől gyártási berendezéseket vásároljanak. Tajvanon úgy vélik, hogy a ChangXin ugyanezekkel a problémákkal fog szembesülni, mint a Fujian. Ezen kívül kvalifikált mérnököket alkalmaztak a korábbi tajvani leányvállalatuktól, amely a japán Elpida volt, a Micron amerikai vállalat általi felvásárlása után. Az elemzők arra számítanak, hogy a Micron perelni fogja a ChangXint, és szankciókra számíthatnak, ha a kínai fél nem reagál.
Párhuzamosan a ChangXin fejleszti a 17 nm-es memóriagyártási technológiai folyamatot. A fejlesztés befejezésére 2021-ben számítanak. Valószínű, hogy a ChangXin második gyára éppen ezekkel a szabványokkal kezdi meg a DRAM kristályok gyártását. Ha persze az amerikai szankciók és a Micron intrikái nem válnak leküzdhetetlen akadállyá.
Forrás: 3dnews.ru
