A világ egyetlen diszkrét mágneses RAM (MRAM) félconductors fejlesztője, az Everspin Technologies folytatja a gyártási technológiák tökéletesítését. Ma az Everspin és a GlobalFoundries közösen dolgoznak ki egy 12 nm-es STT-MRAM chipek gyártásának technológiáját FinFET tranzisztorokkal.
Az Everspin több mint 650 szabadalommal és a MRAM memóriával kapcsolatos alkalmazással büszkélkedhet. Ez a memória úgy működik, hogy az adatok rögzítése hasonlít a merevlemez mágneses lemezére való írásra. Csak ebben az esetben minden cellának saját (feltételezett) mágneses feje van. Az új STT-MRAM memória, amely az elektron spinmomentum átvitele alapján működik, még alacsonyabb energiafogyasztással működik, mivel írási és olvasási módokban kisebb áramok alkalmazásával valósul meg.
Az MRAM memóriát kezdetben az Everspin megbízásából az NXP gyártott az amerikai gyárában. 2014-ben az Everspin szerződést kötött a GlobalFoundries céggel a közös munkáról. Együtt kezdték el fejleszteni a diszkrét és beágyazott MRAM (STT-MRAM) gyártási folyamatait a korszerűbb technológiákkal.
Idővel a GlobalFoundries gyárában elindult a 40 nm-es és 28 nm-es STT-MRAM mikrochippek gyártása (a legújabb termékek között a 1 Gbites diszkrét chip STT-MRAM), és előkészítésre került a 22FDX technológiai folyamat, amely lehetővé teszi a STT-MRAM tömbök integrálását vezérlőkben 22 nm-es FD-SOI lapkák használatával. Az Everspin és a GlobalFoundries új szerződése a STT-MRAM chipek 12 nm-es gyártási folyamatra történő áthelyezéséhez vezet.
Az MRAM memória sebessége megközelíti a SRAM memória sebességét, és potenciálisan helyettesítheti azt az IoT vezérlőkben. Emellett energiatakarékos és sokkal ellenállóbb a kopással, mint a hagyományos NAND memória. A 12 nm-es normákra való áttérés lehetővé teszi az MRAM felvételi sűrűségének növelését, ami ennek a memóriának a legfőbb hátránya.
Forrás: 3dnews.ru
