A franciák bemutatták a holnap hétszintű GAA-tranzisztorát
Régóta nem titok, hogy a 3 nm-es folyamattechnológiával a tranzisztorok a függőleges „fin” FinFET csatornákról a vízszintes nanolap csatornákra, amelyeket teljesen körbevesznek kapuk vagy GAA (gate-all-around). Ma a francia CEA-Leti intézet bemutatta, hogyan lehet a FinFET tranzisztorgyártási eljárásokat többszintű GAA tranzisztorok előállítására használni. A technikai folyamatok folytonosságának fenntartása pedig a gyors átalakulás megbízható alapja. A VLSI Technology & Circuits Symposium számára […]