A szilíciumról széles tilalmi zónával rendelkező félvezetőkre (gallium-nitrid, szilícium-karbid és mások) való áttérés lehetővé teszi a munkafrekvenciák jelentős emelkedését és a megoldások hatékonyságának növelését. Ezért a széles tilalmi zónás chipek és tranzisztorok ígéretes alkalmazási területei közé tartozik a kommunikáció és a radartechnika. A GaN-alapú elektronikák „alapból” teljesítménynövekedést és radarok hatótávolságának kiterjesztését eredményezik, amit azonnal kihasználtak a katonai szektorban.
Lockheed Martin cég , hogy az Egyesült Államok fegyveres erői megkapták az első mobil radarfelszereléseket (RLS) gallium-nitrid alapú elektronikával. A vállalat nem találta ki újra a kereket. A 2010 óta hadrendbe állított AN/TPQ-53 ellenlövő radarok áttértek a GaN elemtípusokra. Ez a világ első és egyetlen radara széles tilalmi zónás félvezetőkkel.
A GaN aktív komponenseire való áttérés révén az AN/TPQ-53 RLS megnövelte a rejtett tüzérségi állások felfedezési távolságát, és lehetőség nyílt a légi célok egyidejű követésére is. Különösen az AN/TPQ-53 RLS-hez drónok ellen kezdték el használni, beleértve a kis eszközöket is. A rejtett tüzérségi állások azonosítása lehetővé teszi 90 fokos szektorban, valamint 360 fokos körkörös megfigyeléssel történik.
A Lockheed Martin cég az Egyesült Államok fegyveres erőinek egyetlen aktív fázisú antennás radarfelszerelés szállítója. A GaN elemtípusokra való áttérés lehetővé teszi számukra a hosszan tartó vezető szerep fenntartását a radarfelszerelések fejlesztésében és gyártásában.
Forrás: 3dnews.ru
