A Samsung B-die chip-based memória modulok talán a legnépszerűbb választások az amatőrök körében. A dél-koreai gyártó azonban elavultnak tekinti őket, és jelenleg leállítja a gyártásukat, helyettük újabb DDR4 memóriachipeket kínál, melyek előállításához modernebb technológiai folyamatokat alkalmaznak. Ez azt jelenti, hogy a Samsung B-die chipeken alapuló, puffer nélküli DDR4 memória modulok élettartama mára véget ért, és hamarosan eltűnnek a piacon. Más gyártók is leállítják az ilyen modulok szállítását, akik Samsung B-die chipeket használnak a termékeikben.
A Samsung B-die chipek és az ezekre alapozott memória modulok széles körű elismerésre tettek szert sokoldalúságuk és tuning potenciáljuk miatt. Kiválóan skálázhatók a frekvenciában, jól reagálnak a feszültségnövekedésre, és extrém agresszív időzítésekkel is működtethetők. A Samsung B-die chipek alapú modulok egy másik fontos előnye a megbízhatóságuk és a széleskörű kompatibilitásuk különböző memóriavezérlőkkel, ezért különösen kedveltek a Ryzen alapú rendszerek tulajdonosai körében.
A B-die chipek előállításához azonban egy viszonylag régi, 20 nm-es technológiai folyamatot használnak, ezért nem meglepő, hogy a Samsung cég fel kívánja adni az ilyen félvezető eszközök gyártását modernebb alternatívák javára. Nem olyan régen a cég bejelentette, hogy megkezdte a DDR4 SDRAM chipek gyártását 1z nm-es technológiával (harmadik generáció), míg az 1y nm-es (második generáció) technológia szerinti chipek már több mint másfél éve készülnek. A gyártó éppen ezekre bátorít átállni, míg a B-die chipek hivatalosan EOL (End of Life) státuszt kaptak, azaz a termék élettartama véget ért.
A legendás Samsung B-die chipek helyett most más megoldások fognak teret hódítani. A tömegtermelés szakaszába lépett az M-die chipek gyártása, amelyekhez 1y nm-es technológiát alkalmaznak. Az A-die chipek is eljutottak a minősítési gyártás szakaszába, amelyeket még fejlettebb, 1z nm-es technológiával készítenek. Ez azt jelenti, hogy az M-die chipeken alapuló memória rövidesen elérhetővé válik, míg az A-die mikrochipeken alapuló modulok fél éven belül a felhasználók rendelkezésére állnak.
Az új, frissített magokkal rendelkező memóriachipek legfőbb előnyei közé tartozik a modern gyártási folyamatok mellett a potenciálisan magasabb frekvenciakapacitás. Lehetővé teszik, hogy 16 GB-os egyoldalas DDR4 memória modulokat, valamint 32 GB-os kétoldalas modulokat gyártsanak, ami korábban lehetetlen volt.
Érdemes megemlíteni, hogy ezen a nyáron lényeges változások várhatóak a piacon elérhető DDR4 SDRAM memória modulok kínálatában. Az új Samsung chipek mellett a Micron E-die és a SK Hynix C-die chipei is bekerülnek a memória modulokba. Nagy valószínűséggel ezek a változások nemcsak a modulok átlagos méretének, hanem a DDR4 SDRAM modulok frekvenciakapacitásának növekedését is eredményezik.
Forrás: 3dnews.ru
