A szilíciumról a széles sávszélességű félvezetőkre (gallium-nitrid, szilícium-karbid és mások) való átállás jelentősen növelheti a működési frekvenciákat és javíthatja a megoldások hatékonyságát. Ezért a széles résű chipek és tranzisztorok egyik ígéretes alkalmazási területe a kommunikáció és a radarok. A GaN megoldásokra épülő elektronika „egyből” teljesítménynövekedést és a radarok hatótávolságának kiterjesztését biztosítja, amit a katonaság azonnal kihasznált.
Lockheed Martin Company hogy az első, elektronikára épülő mobil radaregységeket (radarokat) gallium-nitridből készült elemekkel szállították az amerikai csapatokhoz. A cég semmi újjal nem állt elő. A 2010 óta elfogadott AN/TPQ-53 ellenelemes radarok átkerültek a GaN elembázisba. Ez az első és eddig egyetlen széles résű félvezető radar a világon.
Az aktív GaN komponensekre való átállással az AN/TPQ-53 radar megnövelte a zárt tüzérségi állások érzékelési tartományát, és lehetővé tette a légi célpontok egyidejű követését. Különösen az AN/TPQ-53 radart kezdték használni drónok, köztük kis járművek ellen. A fedett tüzérségi állások azonosítása 90 fokos szektorban és 360 fokos körbetekintéssel egyaránt elvégezhető.
A Lockheed Martin az egyetlen aktív fázisú (fázisos tömb) radar szállítója az amerikai hadsereg számára. A GaN elembázisra való átállás lehetővé teszi, hogy további hosszú távú vezető szerepre számítson a radarberendezések fejlesztése és gyártása terén.
Forrás: 3dnews.ru