Ahogy arról már többször beszámoltunk, ez év vége felé Kínában megkezdődik a 64 rétegű 3D NAND memória tömeggyártása. A memóriagyártó Yangtze Memory Technologies (YMTC) és szülői szervezete, a Tsinghua Unigroup nem egyszer-kétszer beszélt erről. Által
A kínai gyártó nem kezdte meg a 32 rétegű 3D NAND tömeggyártását, és arra összpontosított, hogy minél hamarabb átálljon a többé-kevésbé versenyképes 128 Gbit-es 64 rétegű NAND flash gyártására. Ezzel megnyílik az út az első YMTC üzemben jövőre havi 60 ezer 300 mm-es ostya gyártási volumen felé. Az ilyen mennyiségek nem hasonlíthatók össze a Samsung, az SK Hynix vagy a Micron képességeivel, amelyek egyenként akár 200 ezer hordozót dolgoznak fel havonta. De ezek a kínai 3D NAND mennyiségek súlyosbíthatják a negatív piaci trendeket a gyártók számára, és a DRAMeXchange biztos abban, hogy jövőre mindenképpen jelentős hatással lesznek a NAND memóriák és az ilyen memóriákon alapuló termékek piacára.
Egyébként a tapasztalt versenyzők maguk adják előnyt az YMTC-nek. Idén a túltermelés visszaszorítása érdekében a piacvezetők csökkentik az ipari vonalak fejlesztésére fordított beruházásokat, sőt részben - 5-15%-kal - csökkentik a 3D NAND chipek jelenlegi gyártásának volumenét. Ez azt jelenti, hogy a 92-96 rétegű 3D NAND tömeggyártására való átállás a 64-72 réteg helyett lelassul és jövőre halasztja. Ez késlelteti a vezetők átállását is a 128 rétegű 3D NAND kiadására. Éppen ellenkezőleg, az YMTC nemcsak hogy nem csökkenti a beruházásokat, hanem szándékosan kihagyja a 96 rétegű 3D NAND kiadását, és jövőre azonnal megkezdi a 128 rétegű memória gyártását. Ez a technológiai áttörés egy-két évre csökkenti a kínaiak és az amerikai és dél-koreai versenytársaik közötti különbséget, ami szintén nem sok jót ígér az iparági veteránoknak.
Forrás: 3dnews.ru