amerikai kutatók memóriacella, amely három atom vastagságú fémrétegek mechanikus kiszorításával rögzíti az adatokat. Egy ilyen memóriacella ígéri a legnagyobb rögzítési sűrűséget, és minimális energiát igényel a megvalósításához.
A fejlesztésről a Stanford Egyetem SLAC-laboratóriumának, a Berkeley-i Kaliforniai Egyetemnek és a Texas A&M Egyetemnek a kutatóinak közös csoportja számolt be. A folyóiratban megjelent adatok .
A tudósok egy sor kísérletet végeztek egy volfrám-ditelurud nevű 2D-s fémhalmazokkal. A veremben lévő 2D fémrétegek mindegyike három atom vastagságú volt, ami nagyon sűrű felvételt ígér a szilícium memóriacellákhoz képest. Kísérletek kimutatták, hogy a halomra alkalmazott kis mennyiségű energia minden páratlan réteg elcsúszását (elmozdulását) okozza egy rétegkötegben. Ez olyan gyorsan történik, hogy a felfedezés rendkívül nagy teljesítményű számítógépes memória létrehozásához vezethet, amely tápellátás nélkül is képes információkat tárolni (nem felejtő).
Az információ rögzítése (nulla vagy egy) egy fémréteg kiszorítása során történik egy kötegben. A rétegeltolás változást okoz az elektronok mozgásában a 2D fémek felső és alsó rétegében az elmozdult réteghez képest. Ennek az információnak a elolvasásához a tudósok egy kvantumhatás használatát javasolják . Ez az anyag belsejében keletkező mágneses fluxus, amely akkor lép fel, amikor töltött részecskék mozognak a kristályrácson belül.
A kísérlet leírásából ítélve a memória a 2D fémek halmazaiban eltolható rétegeken nagyon-nagyon távoli kilátás. De a kilátás nagyon csábító, 100-szor gyorsabb adatrögzítést ígér a hosszú távú tároláshoz. Útközben számos kísérletet kell végezni, és ki kell választani az anyagok legjobb kombinációját.
Forrás:
Forrás: 3dnews.ru