Friss sajtóközlemény a Samsung Electronicstól hogy megkezdte a több mint 3 rétegű 100D NAND tömeggyártását. A lehető legmagasabb konfiguráció 136 rétegű chipeket tesz lehetővé, ami új mérföldkövet jelent a sűrűbb 3D NAND flash memória felé vezető úton. Az egyértelmű memóriakonfiguráció hiánya arra utal, hogy a több mint 100 rétegből álló chipet két vagy legvalószínűbb három monolitikus 3D NAND szerszámból állítják össze (például 48 rétegű). A kristályok forrasztása során a határrétegek egy része megsemmisül, és ez lehetetlenné teszi a kristály rétegszámának pontos megjelölését, így később a Samsungot nem vádolják pontatlansággal.
A Samsung azonban ragaszkodik az egyedi csatornalyuk-maratáshoz, amely lehetővé teszi a monolitikus szerkezet vastagságának átszúrását és a vízszintes flash memória tömbök egyetlen memóriachipbe történő csatlakoztatását. Az első 100 rétegű termékek 3D NAND TLC chipek voltak, 256 Gbit kapacitással. A vállalat idén ősszel kezdi meg az 512 Gbit-es chipek gyártását 100 (+) réteggel.
A nagyobb kapacitású memória felszabadításának elutasítását (valószínűleg) az a tény diktálja, hogy az új termékek kiadásakor a hibák mértéke könnyebben szabályozható kisebb kapacitású memória esetén. Az „emeletek számának növelésével” a Samsung kisebb területű chipet tudott előállítani kapacitásvesztés nélkül. Sőt, a chip bizonyos szempontból egyszerűbb is lett, hiszen a monolit 930 millió függőleges lyuk helyett már csak 670 millió lyukat kell maratni. A Samsung szerint ez leegyszerűsítette és lerövidítette a gyártási ciklusokat, és 20%-kal nőtt a munkatermelékenységben, ami több és kevesebb költséget jelent.
A 100 rétegű memóriára alapozva a Samsung elkezdte gyártani a 256 GB-os SATA interfésszel rendelkező SSD-t. A termékeket PC-gyártóknak szállítják. Kétségtelen, hogy a Samsung hamarosan megbízható és viszonylag olcsó szilárdtestalapú meghajtókat mutat be.
A 100 rétegű szerkezetre való átállás nem kényszerített minket a teljesítmény vagy az energiafogyasztás feláldozására. Az új 256 Gbit-es 3D NAND TLC összességében 10%-kal gyorsabb volt, mint a 96 rétegű memória. A chip vezérlőelektronikájának továbbfejlesztett kialakítása lehetővé tette, hogy az adatátviteli sebesség írás módban 450 μs, olvasási módban 45 μs alatt maradjon. A fogyasztás ugyanakkor 15%-kal csökkent. A legérdekesebb dolog az, hogy a 100 rétegű 3D NAND alapján a cég azt ígéri, hogy legközelebb 300 rétegű 3D NAND-ot fog kiadni, egyszerűen három hagyományosan monolitikus 100 rétegű kristály összekapcsolásával. Ha a Samsung jövőre megkezdheti a 300 rétegű 3D NAND tömeggyártását, az fájdalmas rúgás lesz a versenytársaknak és flash memória ipar.
Forrás: 3dnews.ru