Ezen a héten a kínai YMTC cég rekordméretű, 128 rétegű 3D NAND flash memória fejlesztéséről. A kínaiak kihagyják a 96 rétegű memória gyártási szakaszát, és az év végén azonnal megkezdik a 128 rétegű memória gyártását. Így elérik az iparági vezetők szintjét, ami egyenértékű a bika előtti vörös rongy lengetésével. A „bikák” pedig a várt módon reagáltak.
A dél-koreai ETNews webhely ma hogy a Samsung felgyorsította a 160 rétegű 3D NAND (vagy V-NAND, ahogy a cég többrétegű flash memóriának nevezi) fejlesztését. A Samsung ezt „szuper gap” stratégiának nevezi, vagy előre játszásnak, ami segítheti a dél-koreai technológiai vezetőket abban, hogy a versenytársak előtt maradjanak. Mivel a Samsung sikere a dél-koreai gazdaság középpontjában áll, ez az egész nemzet jólétének kérdése, ezért a vállalat komolyan veszi a munkáját.
A Samsung bemutatta a 100+ rétegű memóriát . Feltételezhetjük, hogy a cég már a harmadik negyedévben ad ki hagyományosan 128 rétegű memóriát (a rétegek pontos száma egyelőre ismeretlen). A következő lépés a Samsung memória 160 vagy még több réteggel. A V-NAND memória 7. generációjához fog tartozni. A pletykák szerint a cég jelentős előrelépést tett a fejlesztésben. Egyes vélemények szerint a Samsung lesz az első, aki eléri a 160 rétegű határt, ahogy az a 3D NAND memória minden korábbi generációjával történt.
Forrás: 3dnews.ru