Tajvani iparági források szerint, amelyek A DigiTimes internetes forrás, a kínai memóriagyártó, a ChangXin Memory Technologies (CXMT) javában készül az LPDDR4 memória sorozatgyártására. A ChangXin, más néven Innotron Memory állítólag saját DRAM gyártási eljárást fejlesztett ki 19 nm-es technológiával.
A memória kereskedelmi gyártásához az első 300 mm-es vállalatánál a ChangXinnek kellett 2019 első felében. Jaj, ez még nem történt meg. De a 8 Gbit-es DDR4 LPDDR4 chipek gyártásának megkezdését a kapacitás havi 20 ezer 300 nm-es szilícium szeletre történő bővítése kíséri. A ChangXin vállalat vonalainak maximális kapacitása eléri a 125 ezer 300 mm-es ostyát havonta. De ez sem a határ. A cég bejelentette, hogy jövőre megkezdi egy második üzem építését a 300 mm-es memóriakártyák feldolgozására.
Ugyanakkor ez a kínai gyártó más jellegű problémákkal is szembesülhet. Emlékezzünk vissza, hogy a Fujian Jinhua volt az első kínai cég, amely elkezdte a DRAM memória tömeggyártását. Amerikai Egyesült Államok a gyártóberendezések amerikai partnerektől való vásárlásának tilalmával. Tajvanon úgy vélik, hogy a ChangXin ugyanazokkal a problémákkal fog szembenézni, mint a Fujian. Emellett képzett mérnököket toborzott a japán Elpida egykori tajvani leányvállalatától, amelynek üzletágát az amerikai Micron vette át. Az elemzők a ChangXinnel szembeni követeléseket várják a Microntól és szankciókat, ha a kínai fél nem válaszol.
Ezzel párhuzamosan a ChangXin egy technikai eljárást fejleszt a 17 nm-es szabványú memória előállítására. A fejlesztés várható befejezése 2021. Valószínűleg a második ChangXin üzem megkezdi a DRAM kristályok gyártását ezekkel a szabványokkal. Kivéve persze, ha az amerikai szankciók és Micron machinációi leküzdhetetlen akadályt jelentenek az útjában.
Forrás: 3dnews.ru