A mikroelektronika további fejlesztése elképzelhetetlen a félvezetőgyártási technológiák fejlesztése nélkül. Ahhoz, hogy kitágítsuk a határokat és megtanuljuk, hogyan lehet egyre kisebb elemeket kristályokon előállítani, új technológiákra és új eszközökre van szükség. Az egyik ilyen technológia áttörést jelenthet az amerikai tudósok számára.
Az Egyesült Államok Energiaügyi Minisztériumának Argonne Nemzeti Laboratóriumának kutatócsoportja egy új technika vékony filmek létrehozására és maratására a kristályok felületén. Ez potenciálisan a jelenleginél és a közeljövőben kisebb mértékű chips-gyártáshoz vezethet. A tanulmány a Chemistry of Materials folyóiratban jelent meg.
A javasolt technika a hagyományos eljáráshoz hasonlít és a rézkarc, csak a szervetlen filmek helyett az új technológia szerves filmeket hoz létre és ezekkel dolgozik. Valójában, analógia alapján, az új technológiát molekuláris réteges leválasztásnak (MLD, molekuláris réteges leválasztás) és molekuláris rétegmarattásnak (MLE, molekuláris rétegmarattás) nevezik.
Az atomi rétegmaratáshoz hasonlóan az MLE-módszer is a kristály felületének kamrájában, szerves alapú anyagból készült filmekkel történik. A kristályt ciklikusan kezelik két különböző gázzal felváltva, amíg a film egy adott vastagságra elvékonyodik.
A kémiai folyamatokra az önszabályozás törvényei vonatkoznak. Ez azt jelenti, hogy rétegről rétegre egyenletesen és ellenőrzött módon kerül eltávolításra. Ha fotómaszkokat használ, reprodukálhatja a jövőbeli chip topológiáját a chipen, és a legnagyobb pontossággal marathatja a tervet.
A kísérlet során a tudósok lítium-sókat és trimetil-alumínium alapú gázt használtak a molekuláris maratáshoz. A maratási folyamat során a lítiumvegyület reakcióba lép az alukonfilm felületével oly módon, hogy a lítium lerakódott a felületre, és tönkretette a filmben lévő kémiai kötést. Ezután trimetil-alumíniumot szállítottak, amely lítiummal távolította el a filmréteget, és így tovább egyenként, amíg a film a kívánt vastagságra nem csökkent. A folyamat jó irányíthatósága a tudósok szerint lehetővé teheti, hogy a javasolt technológia előmozdítsa a félvezetőgyártás fejlődését.
Forrás: 3dnews.ru