A teljesítmény félvezetők egy fokkal feljebb helyezik a dolgokat. Szilícium helyett gallium-nitridet (GaN) használnak. A GaN inverterek és tápegységek akár 99%-os hatásfokkal működnek, így a legmagasabb hatásfokot biztosítják az energiarendszerek számára az erőművektől a villamosenergia-tároló és -felhasználó rendszerekig. Az új piac vezetői az USA, Európa és Japán cégek. Most erre a területre az első kínai cég.
Nemrég a kínai ROCK kütyügyártó kiadta az első töltőt, amely támogatja a gyorstöltést „kínai chipen”. Az általánosan hagyományos megoldás az Inno Science InnoGaN sorozatának GaN tápegységén alapul. A chip a szabványos DFN 8x8 formátumú kompakt tápegységekhez készült.
A 2 W-os ROCK 1C65AGaN töltő kompaktabb és funkcionálisabb, mint az Apple 61 W-os PD töltő (összehasonlítás a fenti képen). A kínai töltő egyidejűleg három eszközt tud tölteni két USB Type-C és egy USB Type-A interfészen keresztül. A jövőben a ROCK azt tervezi, hogy 100 és 120 W-os gyorstöltő-verziókat bocsát ki kínai GaN-szerelvényeken. Rajta kívül mintegy 10 további kínai töltő- és tápegység-gyártó működik együtt a GaN tápelemek gyártójával, az Inno Science-vel.
A kínai vállalatok, és különösen az Inno Science cég kutatása a GaN teljesítményelemek területén arra irányul, hogy Kína függetlenné váljon a hasonló megoldások külföldi szállítóitól. Az Inno Science saját fejlesztőközponttal és laboratóriummal rendelkezik a tesztelési megoldások teljes ciklusához. De még ennél is fontosabb, hogy két gyártósora van a GaN megoldások 200 mm-es ostyákon történő előállításához. A világ, de még a kínai piac számára is ez egy csepp a vödörben. De valahol el kell kezdeni.
Forrás: 3dnews.ru