Az Egyesült Államok hadserege megkapta az első mobil félvezető alapú radarját gallium-nitride-ra.
A szilíciumról széles tilalmi zónájú félvezetőkre (gallium-nitrid, szilícium-karbid és mások) történő átállás lehetővé teszi a munkafrekvenciák jelentős emelkedését és a megoldások hatékonyságának javítását. Ezért az egyik ígéretes alkalmazási terület a széles zónás chipek és tranzisztorok számára a kommunikáció és a radarok. A GaN-alapú elektronika "tiszta lapon" teljesítménynövekedést és a radarok hatótávolságának kiterjesztését biztosít, amit azonnal kihasználtak […]
