Ֆրանսիացիները ներկայացրել են վաղվա յոթ մակարդակի GAA տրանզիստորը
Վաղուց գաղտնիք չէ, որ 3 նմ պրոցեսի տեխնոլոգիայով տրանզիստորները ուղղահայաց «փեղկ» FinFET ալիքներից կտեղափոխվեն հորիզոնական նանոէջ ալիքներ՝ ամբողջովին շրջապատված դարպասներով կամ GAA (gate-all-around): Այսօր ֆրանսիական CEA-Leti ինստիտուտը ցույց տվեց, թե ինչպես կարելի է FinFET տրանզիստորների արտադրության գործընթացները օգտագործել բազմաստիճան GAA տրանզիստորներ արտադրելու համար: Իսկ տեխնիկական գործընթացների շարունակականության պահպանումը հուսալի հիմք է արագ փոխակերպման համար։ VLSI Technology & Circuits սիմպոզիումի համար […]