Վերջերս Շենժենում անցկացվող Չինաստանի յոթերորդ էլեկտրոնային տեղեկատվական ցուցահանդեսում (CITE2019) ցուցադրվեց Tsinghua Unigroup-ի ստենդի մոտ բացառապես չինական բաղադրիչներից հավաքված առաջին SSD P8260 սկավառակը: Սա սերվերի կարգի SSD է, որտեղ վերահսկիչը, DRAM բուֆերը և 3D NAND զանգվածը նախագծված և արտադրված են Չինաստանում: Դե, Չինաստանը ևս մեկ քայլ է արել և ակնկալում է գնալ այս ճանապարհով` օտար արտադրության հիշողությունից լիարժեք անկախանալու համար:
Յուրաքանչյուրը, ով հետևում է Չինաստանում 3D NAND հիշողության մշակման և արտադրության մասին լուրերին, գիտի, որ ֆլեշ հիշողության չիպերի արտադրությունն իրականացվում է Tsinghua, Yangtze River Storage Technology (YMTC) հետ համատեղ ձեռնարկության միջոցով: P8260 կրիչներն ունեն YMTC-ի առաջին 32-շերտ 3 Գբ 64D NAND արտադրանքները: Տարեվերջին արտադրողը կսկսի արտադրել 128 Գբիթ 64-շերտ 3D NAND չիպեր, որոնք թույլ կտան YMTC-ին կոմերցիոն հասանելի դառնալ, մինչդեռ արտադրությունը վնասով է:
DRAM հիշողությունը SSD բուֆերի համար արտադրվում է Tsinghua դուստր ձեռնարկության Guoxin Micro-ի կողմից: Բուֆերի չափը չի հաղորդվում: Կարգավորիչը մշակվել է չինական Beijing Ziguang Storage Technology ընկերության կողմից, որը նույնպես կապված է Tsinghua Unigroup-ի հետ։
P8260 կարգավորիչը և սկավառակը աջակցում են NVMe 1.2.1 արձանագրությանը և PCI Express 3.0 x4 ինտերֆեյսին: Հայտարարված է 16 հիշողության ալիքների աջակցություն, ինչը խոստանում է բարձր թողունակություն, սակայն P8260-ի աշխատանքի մասին ճշգրիտ տվյալներ նույնպես չեն հաղորդվում։ DRAM բուֆերի հետ աշխատելու համար պրոցեսորն ունի ներկառուցված երկալիքային հիշողության կարգավորիչ՝ 40 բիթանոց ավտոբուսով և ECC աջակցությամբ: Ներկայացված է SSD P8260-ի երկու տարբերակ՝ 1 և 2 ՏԲ հզորությամբ՝ PCIe քարտի և U.2 սկավառակի ձևաչափերով։
Բացի P8260 կրիչներից, արտադրողը ցուցադրել է նաև P100 և S100 ընտանիքների սպառողական SSD-ներ: Այնուամենայնիվ, ընկերությունը գործընկերներից գնում է 3D NAND հիշողություն այս մոդելների համար: Այդպիսի գործընկերներից է, օրինակ, Intel-ը։
Source: 3dnews.ru