Սմարթֆոններն արդեն մի քանի տարի առաջ են անցել նոութբուքներից և աշխատասեղան համակարգիչներից՝ օպերատիվ հիշողության ծավալով: Samsung-ը որոշել է ավելի ընդլայնել այս բացը: Ապագա պրեմիում դասի սարքերի համար այն 16 ԳԲ LPDDR5 DRAM չիպեր:
Samsung-ի նոր ռեկորդային հզորությամբ հիշողության չիպերը բաղկացած են 12 շարված բյուրեղներից: Դրանցից ութն ունեն 12 Գբիթ հզորություն, իսկ չորսը՝ 8 Գբիթ: Ընդհանուր առմամբ կա մեկ հիշողության չիպ՝ 16 ԳԲ տարողությամբ։ Ակնհայտ է, որ եթե փաթեթում առկա բոլոր նիշերը լինեին 12 Գբիթ, ապա Samsung-ը կներկայացնի 18 ԳԲ չիպ, ինչը, հավանաբար, կանի տեսանելի ապագայում:
16 ԳԲ տարողությամբ Samsung չիպը պատրաստված է LPDDR5 ստանդարտով՝ 5500 Մբիթ/վրկ թողունակությամբ յուրաքանչյուր տվյալների ավտոբուսի փին: Սա մոտավորապես 1,3 անգամ ավելի արագ է, քան LPDDR4X բջջային հիշողությունը (4266 Մբիթ/վրկ): Համեմատած 8 ԳԲ LPDDR4X չիպի (փաթեթի) հետ՝ նոր 16 ԳԲ LPDDR5 չիպը ձայնի կրկնապատկման և արագության բարձրացման ֆոնին ապահովում է սպառման 20% խնայողություն։
Նշենք, որ 16 ԳԲ LPDDR5 չիպը հավաքված է հիշողության բյուրեղներից, որոնք արտադրվել են 10 նմ դասի գործընթացի տեխնոլոգիայի երկրորդ սերնդի միջոցով: Այս տարվա երկրորդ կեսին Հարավային Կորեայի գործարանում Samsung-ը խոստանում է սկսել 16 Գբիթանոց LPDDR5 բյուրեղների զանգվածային արտադրություն՝ օգտագործելով 10 նմ դասի պրոցեսի տեխնոլոգիայի երրորդ սերունդը։ Այս մատրիցները ոչ միայն կունենան ամենաբարձր հզորությունը, այլև կլինեն ավելի արագ՝ 6400 Մբիթ/վրկ թողունակությամբ մեկ փին:
Մոտ ապագայի ժամանակակից պրեմիում սմարթֆոնները և սմարթֆոնները, վստահ է Samsung-ը, չեն կարողանա անել առանց տպավորիչ քանակությամբ RAM-ի: Խելացի լուսանկարչությունը ընդլայնված դինամիկ տիրույթով և այլ հնարավորություններով, շարժական խաղեր՝ ցնցող գրաֆիկայով, վիրտուալ և ընդլայնված իրականություն.
Source: 3dnews.ru