Samsung-ը մշակել է 12-շերտ HBM3E հիշողություն՝ 36 ԳԲ ռեկորդային հզորությամբ մեկ կույտում:

Сегмент памяти типа HBM сейчас развивается очень динамично, поскольку именно ею оснащаются востребованные рынком ускорители вычислений для систем искусственного интеллекта. Компания Samsung Electronics заявила о разработке первого в мире 12-ярусного стека HBM3E совокупной ёмкостью 36 Гбайт, который обеспечивает передачу информации со скоростью 1280 Гбайт/с. Источник изображения: Samsung Electronics
Source: 3dnews.ru

Добавить комментарий