Ըստ Թայվանի արդյունաբերության աղբյուրների, որոնք DigiTimes ինտերնետային ռեսուրսը, չինական հիշողության արտադրող ChangXin Memory Technologies (CXMT) լայն թափով պատրաստում է LPDDR4 հիշողության զանգվածային արտադրության գծեր: ChangXin-ը, որը նաև հայտնի է որպես Innotron Memory, մշակել է իր սեփական DRAM-ի արտադրության գործընթացը՝ օգտագործելով 19 նմ տեխնոլոգիա:
Իր առաջին 300 մմ ձեռնարկությունում հիշողության կոմերցիոն արտադրության համար ChangXin-ը ստիպված էր 2019 թվականի առաջին կիսամյակում։ Ավաղ, սա դեռ չի եղել։ Սակայն 8 Գբիթանոց DDR4 LPDDR4 չիպերի արտադրության մեկնարկը կուղեկցվի հզորության ընդլայնմամբ մինչև ամսական 20 հազար 300 նմ սիլիկոնային վաֆլի։ ChangXin ձեռնարկությունում գծերի առավելագույն թողունակությունը հասնում է ամսական 125 հազար 300 մմ վաֆլիի։ Բայց սա նույնպես սահմանը չէ։ Ընկերությունը հայտարարել է, որ հաջորդ տարի կսկսի կառուցել երկրորդ գործարանը, որը կմշակի 300 մմ հիշողության վաֆլիներ:
Միևնույն ժամանակ, չինացի այս արտադրողը կարող է այլ տեսակի խնդիրների առաջ կանգնել։ Հիշեցնենք, որ առաջին չինական ընկերությունը, որը պատրաստվում էր սկսել DRAM հիշողության զանգվածային արտադրություն, Fujian Jinhua-ն էր։ ԱՄՆ-ն արգելում է ամերիկյան գործընկերներից արտադրական սարքավորումներ ձեռք բերել. Թայվանում կարծում են, որ ChangXin-ին կբախվեն նույն խնդիրները, ինչ Fujian-ը։ Բացի այդ, այն որակյալ ինժեներներ է հավաքագրել ճապոնական Elpida-ի նախկին թայվանական դուստր ձեռնարկությունից, որի բիզնեսը կլանել է ամերիկյան Micron-ը: Վերլուծաբաններն ակնկալում են Micron-ից պահանջներ ChangXin-ի դեմ և պատժամիջոցներ, եթե չինական կողմը չարձագանքի:
Զուգահեռաբար ChangXin-ը մշակում է 17 նմ ստանդարտներով հիշողության արտադրության տեխնիկական գործընթաց։ Մշակման ավարտը սպասվում է 2021 թվականին։ Հավանաբար, ChangXin-ի երկրորդ գործարանը կսկսի աշխատել այս ստանդարտներով DRAM բյուրեղների արտադրությամբ: Եթե, իհարկե, ԱՄՆ պատժամիջոցները և Միկրոնի մեքենայությունները չդառնան անհաղթահարելի խոչընդոտ նրա ճանապարհին:
Source: 3dnews.ru