Samsung na-enweta uru ọsụ ụzọ ya nke ọma na lithography semiconductor site na iji nyocha EUV. Ka TSMC na-akwado ịmalite iji 13,5 nm scanners na June, na-emegharị ha ka ha mepụta ibe n'ọgbọ nke abụọ nke usoro 7 nm, Samsung na-agbaba miri emi na na mmecha nke mmepe nke usoro teknụzụ na ụkpụrụ nhazi 5 nm. Ọzọkwa, South Korea ibu mara ọkwa mmalite nke ịnakwere iwu maka mmepụta nke 5-nm ngwọta maka mmepụta na multi-design wafers. Nke a pụtara na Samsung dị njikere ịnakwere atụmatụ mgbawa dijitalụ nwere ụkpụrụ 5 nm wee mepụta batches pilot nke na-arụ ọrụ silicon 5 nm.
Inyere ụlọ ọrụ ahụ aka ịkwaga ngwa ngwa site n'inye 7nm na EUV iji wepụta 5nm ngwọta na EUV bụ eziokwu na Samsung nọgidere na-enwe mmekọrịta n'etiti ihe nhazi (IP), imewe na ngwaọrụ nyocha. Tinyere ihe ndị ọzọ, nke a pụtara na ndị ahịa ụlọ ọrụ ahụ ga-echekwa ego na ịzụrụ ngwá ọrụ nhazi, nyocha na ihe mgbochi IP dị njikere. PDK maka imewe, usoro (DM, usoro imewe) na nyiwe imewe EDA akpaghị aka bịara dị ka akụkụ nke mmepe nke ibe maka ụkpụrụ 7-nm Samsung nwere EUV na nkeji nke anọ nke afọ gara aga. Ngwa ndị a niile ga-ahụ na mmepe nke ọrụ dijitalụ nwekwara maka teknụzụ usoro 5 nm na transistor FinFET.
Tụnyere usoro 7nm site na iji nyocha EUV, nke ụlọ ọrụ ahụ N'afọ gara aga, teknụzụ usoro 5 nm ga-enye mmụba 25% na arụmọrụ nke iji mpaghara mgbawa (Samsung na-ezere nkwupụta kpọmkwem banyere ibelata nha mpaghara mgbawa site na 25%, nke na-ahapụ ya ohere ịmegharị ọnụọgụ). Ọzọkwa, mgbanwe na usoro 5-nm ga-ebelata oriri mgbawa site na 20% ma ọ bụ mee ka arụmọrụ nke ngwọta dị elu site na 10%. Ego ọzọ ga-abụ mbelata ọnụ ọgụgụ fotomasks nke achọrọ maka mmepụta semiconductor.
Samsung na-emepụta ngwaahịa site na iji nyocha EUV na osisi S3 dị na Hwaseong. N'ọkara nke abụọ nke afọ a, ụlọ ọrụ ahụ ga-emecha wuo ụlọ ọhụrụ na-esote Fab S3, nke ga-adị njikere ịmepụta ibe site na iji usoro EUV n'afọ ọzọ.
isi: 3dnews.ru