Í langan tíma , að frá 3nm vinnslutækninni munu smári færast frá lóðréttum „fin“ FinFET rásum yfir í láréttar nanósíðurásir sem eru algjörlega umkringdar hliðum eða GAA (hlið-allt í kring). Í dag sýndi franska stofnunin CEA-Leti hvernig hægt er að nota FinFET smára framleiðsluferli til að framleiða fjölþrepa GAA smára. Og að viðhalda samfellu tæknilegra ferla er áreiðanlegur grundvöllur fyrir hraðri umbreytingu.
CEA-Leti sérfræðingar fyrir VLSI Technology & Circuits 2020 málþingið um framleiðslu á sjö stiga GAA smára (sérstaklega þökk sé kórónuveirunni heimsfaraldri, þökk sé þeim sem skjöl um kynningar fóru loksins að birtast strax, og ekki mánuðum eftir ráðstefnur). Franskir vísindamenn hafa sannað að þeir geta framleitt GAA smára með rásum í formi heils „stafla“ af nanósíðum með því að nota mikið notaða tækni svokallaðs RMG ferli (replacement metal gate eða, á rússnesku, skipti (tímabundið) málm. hlið). Á sínum tíma var RMG tæknilegt ferli aðlagað fyrir framleiðslu á FinFET smára og, eins og við sjáum, er hægt að útvíkka það til framleiðslu á GAA smára með fjölþrepa fyrirkomulagi nanósíðurása.
Samsung, eftir því sem við best vitum, ætlar með upphaf framleiðslu á 3-nm flísum að framleiða tveggja þrepa GAA smára með tveimur flatum rásum (nanopages) staðsettum hver yfir annarri, umkringd hliði á öllum hliðum. Sérfræðingar CEA-Leti hafa sýnt fram á að hægt er að framleiða smára með sjö nanósíðurásum og stilla rásirnar um leið á tilskilda breidd. Til dæmis kom út tilrauna GAA smári með sjö rásum í útgáfum með breidd frá 15 nm til 85 nm. Það er ljóst að þetta gerir þér kleift að stilla nákvæma eiginleika smára og tryggja endurtekningarhæfni þeirra (draga úr útbreiðslu breytu).
Samkvæmt frönsku, því fleiri rásarstig í GAA smára, því meiri virka breidd heildarrásarinnar og því betri stjórnhæfni smárasins. Einnig er minni lekastraumur í fjöllaga uppbyggingu. Til dæmis hefur sjö stiga GAA smári þrisvar sinnum minni lekastraum en tveggja stiga (tiltölulega eins og Samsung GAA). Jæja, iðnaðurinn hefur loksins fundið leið upp og færst frá láréttri staðsetningu frumefna á flís yfir í lóðrétt. Svo virðist sem örrásir þurfi ekki að auka flatarmál kristallanna til að verða enn hraðari, öflugri og orkusparandi.
Heimild: 3dnews.ru