Samkvæmt heimildum iðnaðarins í Taívan, sem Internet auðlind DigiTimes, kínverski minnisframleiðandinn ChangXin Memory Technologies (CXMT) er á fullu að undirbúa línur fyrir fjöldaframleiðslu á LPDDR4 minni. ChangXin, einnig þekkt sem Innotron Memory, er sagt hafa þróað sitt eigið DRAM framleiðsluferli með 19nm tækni.
Til að framleiða minni í atvinnuskyni í fyrsta 300 mm fyrirtækinu sínu, varð ChangXin að gera það á fyrri hluta árs 2019. Æ, þetta hefur ekki gerst ennþá. En upphaf framleiðslu á 8-Gbit DDR4 LPDDR4 flísum mun fylgja stækkun á afkastagetu í 20 þúsund 300 nm sílikonskífur á mánuði. Hámarksgeta línanna hjá ChangXin fyrirtækinu nær 125 þúsund 300 mm flísum á mánuði. En þetta eru heldur ekki takmörkin. Fyrirtækið sagði að það muni hefja byggingu annarrar verksmiðju á næsta ári til að vinna úr 300 mm minnisdiskum.
Á sama tíma gæti þessi kínverski framleiðandi staðið frammi fyrir vandamálum af öðru tagi. Við skulum muna að fyrsta kínverska fyrirtækið sem ætlaði að hefja fjöldaframleiðslu á DRAM minni var Fujian Jinhua. Bandaríkin með bann við að kaupa framleiðslutæki frá bandarískum samstarfsaðilum. Í Taívan telja þeir að ChangXin muni standa frammi fyrir sömu vandamálum og Fujian. Að auki réð það til sín hæfa verkfræðinga frá fyrrum taívanska dótturfyrirtæki japanska Elpida, en viðskipti þeirra voru frásoguð af bandaríska Micron. Sérfræðingar búast við kröfum á hendur ChangXin frá Micron og refsiaðgerðum ef kínverska hliðin bregst ekki við.
Samhliða er ChangXin að þróa tæknilegt ferli til að framleiða minni með 17 nm stöðlum. Gert er ráð fyrir að framkvæmdum ljúki árið 2021. Sennilega mun önnur ChangXin verksmiðjan hefja vinnu við framleiðslu á DRAM kristöllum með þessum stöðlum. Nema auðvitað að bandarískar refsiaðgerðir og vélarbrögð Micron verði óyfirstíganleg hindrun á vegi hennar.
Heimild: 3dnews.ru