Google ha presentato "Half-Double", una nuova tecnica di attacco della classe RowHammer, che consente di modificare il contenuto dei singoli bit della memoria DRAM (Dynamic Random Access Memory). L'attacco si verifica su alcuni chip DRAM moderni, i cui produttori hanno raggiunto una riduzione della geometria delle celle.
Ricordiamo che gli attacchi della classe RowHammer permettono di alterare il contenuto di singoli bit di memoria attraverso la lettura ciclica dei dati da celle di memoria adiacenti. Poiché la memoria DRAM è costituita da un array bidimensionale di celle, ciascuna delle quali è composta da un condensatore e un transistor, la continua lettura della stessa area di memoria porta a fluttuazioni di tensione e anomalie, causando una leggera perdita di carica nelle celle adiacenti. Se l'intensità della lettura è sufficientemente alta, una cella adiacente può perdere una quantità significativa di carica e il successivo ciclo di rigenerazione non riesce a ripristinarne lo stato originale, portando a una modifica del valore dei dati memorizzati nella cella.
Per proteggere contro RowHammer, i produttori di chip hanno implementato il meccanismo TRR (Target Row Refresh), che protegge da alterazioni nelle celle delle righe adiacenti. Il metodo Half-Double consente di aggirare questa protezione, manipolando il fatto che le alterazioni non sono limitate alle righe adiacenti, ma si propagano ad altre righe di memoria, sebbene in misura minore. Gli ingegneri di Google hanno dimostrato che per righe di memoria "A", "B" e "C", è possibile attaccare la riga "C" con un accesso molto intenso alla riga "A" e una bassa attività che coinvolge la riga "B". Le richieste alla riga "B" durante l'attacco attivano una perdita di carica non lineare e consentono di utilizzare la riga "B" come mezzo per trasmettere l'effetto Rowhammer dalla riga "A" alla riga "C".
A differenza dell'attacco TRRespass, che manipola le vulnerabilità in diverse implementazioni del meccanismo di prevenzione delle alterazioni delle celle, l'attacco Half-Double si basa sulle proprietà fisiche del substrato di silicio. Half-Double dimostra che gli effetti che probabilmente portano a Rowhammer sono una proprietà della distanza, piuttosto che del contatto diretto delle celle. Con la riduzione della geometria delle celle nei chip moderni, aumenta anche il raggio d'azione delle alterazioni. È possibile che l'effetto si manifesti a distanze superiori a due righe.
Si segnala che insieme all'associazione JEDEC sono state sviluppate diverse proposte analizzando le possibili vie per bloccare tali attacchi. Le informazioni sul metodo sono state divulgate, poiché Google ritiene che la ricerca condotta ampli la comprensione del fenomeno Rowhammer e sottolinei l'importanza della collaborazione tra ricercatori, produttori di chip e altre parti interessate per lo sviluppo di una soluzione completa e di lungo termine per la protezione.
Fonte: opennet.ru
