I francesi hanno presentato il transistor GAA a sette livelli di domani
Non è stato a lungo un segreto che con la tecnologia di processo a 3 nm, i transistor passeranno dai canali FinFET verticali "fin" ai canali orizzontali di nanopagina completamente circondati da porte o GAA (gate-all-around). Oggi l’istituto francese CEA-Leti ha mostrato come i processi di produzione dei transistor FinFET possano essere utilizzati per produrre transistor GAA multilivello. E mantenere la continuità dei processi tecnici è una base affidabile per una rapida trasformazione. Per il simposio VLSI Technology & Circuits […]