Alla fine dell'anno, il produttore cinese ChangXin Memory inizierà a produrre chip LPDDR4 da 8 Gbit.

Secondo fonti del settore in Taiwan, citate dal sito DigiTimes, il produttore cinese di memorie ChangXin Memory Technologies (CXMT) sta preparando le linee per la produzione massiva di memorie LPDDR4. Si afferma che ChangXin, nota anche come Innotron Memory, abbia sviluppato un proprio processo di produzione di DRAM utilizzando norme tecnologiche da 19 nm. fa riferimento a Per l'immissione commerciale della memoria nella sua prima fabbrica da 300 mm, ChangXin doveva

iniziare nella prima metà del 2019. Purtroppo, ciò non è ancora avvenuto. Tuttavia, l'inizio della produzione di chip DDR4 LPDDR4 da 8 Gb sarà accompagnato dall'espansione della capacità a 20.000 wafer di silicio da 300 mm al mese. La massima capacità delle linee nella fabbrica di ChangXin raggiunge 125.000 wafer da 300 mm al mese. Ma non è un limite. L'azienda ha annunciato che l'anno prossimo inizierà a costruire un secondo stabilimento per il trattamento di wafer da 300 mm con memoria. Nel frattempo, questo produttore cinese potrebbe affrontare problemi di altro tipo. Ricordiamo che la prima azienda cinese che si preparava a iniziare la produzione massiva di memorie DRAM, Fujian Jinhua,

è finita sulla lista delle sanzioni degli Stati Uniti, con divieto di acquisto di attrezzature produttrici dai partner americani. A Taiwan si ritiene che ChangXin affronti gli stessi problemi di Fujian. Inoltre, ha assunto ingegneri qualificati provenienti dalla precedente filiale taiwanese della giapponese Elpida, il cui business è stato assorbito dalla americana Micron. Gli analisti si aspettano denunce contro ChangXin da parte di Micron e sanzioni in caso di mancata reazione da parte cinese. Parallelamente, ChangXin sta sviluppando un processo di produzione di memoria con norme da 17 nm. Il completamento dello sviluppo è previsto per il 2021. È probabile che il secondo stabilimento di ChangXin inizi le sue attività producendo chip DRAM con queste norme, a meno che, ovviamente, sanzioni degli Stati Uniti e attacchi di Micron non diventino ostacoli insormontabili.

Parallelamente, ChangXin sta sviluppando un processo di produzione di memorie con normative di 17 nm. Il completamento dello sviluppo è previsto per il 2021. È probabile che il secondo stabilimento di ChangXin inizi la produzione di chip DRAM proprio con queste normative, a meno che, ovviamente, non ci siano ostacoli insormontabili come le sanzioni statunitensi e le manovre di Micron.

Fonte: 3dnews.ru