«Oltre l'EUV»: Lace Lithography prepara la litografia con atomi di elio con risoluzione di 0,1 nm
La startup norvegese Lace Lithography, con il supporto di Microsoft, ha raccolto 40 milioni di dollari in un primo round di finanziamento per sviluppare uno scanner litografico che utilizza un fascio di atomi di elio per elaborare wafer di silicio. L'azienda afferma che la sua tecnologia consentirà di creare elementi dei chip dieci volte più piccoli rispetto ai sistemi litografici esistenti, con una larghezza del fascio di solo 0,1 nm — gli scanner EUV ASML utilizzano […]
