{"id":100281,"date":"2021-05-26T04:22:47","date_gmt":"2021-05-26T02:22:48","guid":{"rendered":"https:\/\/prohoster.info\/blog\/novosti-interneta\/novaya-tehnika-ataki-rowhammer-na-dram-pamyat"},"modified":"2021-05-26T04:22:47","modified_gmt":"2021-05-26T02:22:48","slug":"novaya-tehnika-ataki-rowhammer-na-dram-pamyat","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/prohoster.info\/it\/blog\/news\/novaya-tehnika-ataki-rowhammer-na-dram-pamyat","title":{"rendered":"Nuova tecnica di attacco RowHammer sulla memoria DRAM","gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"text"}]},"content":{"rendered":"
L'azienda Google ha presentato 'Half-Double', una nuova tecnica di attacco della classe RowHammer, che consente di modificare il contenuto di singoli bit nella memoria ad accesso casuale dinamico (DRAM). L'attacco si verifica su alcuni chip DRAM moderni, i cui produttori hanno raggiunto una riduzione della geometria delle celle. <\/p>\n
Ricordiamo che gli attacchi della classe RowHammer permettono di alterare il contenuto di singoli bit di memoria attraverso la lettura ciclica dei dati da celle di memoria adiacenti. Poich\u00e9 la memoria DRAM \u00e8 costituita da un array bidimensionale di celle, ciascuna delle quali \u00e8 composta da un condensatore e un transistor, la continua lettura della stessa area di memoria porta a fluttuazioni di tensione e anomalie, causando una leggera perdita di carica nelle celle adiacenti. Se l'intensit\u00e0 della lettura \u00e8 sufficientemente alta, una cella adiacente pu\u00f2 perdere una quantit\u00e0 significativa di carica e il successivo ciclo di rigenerazione non riesce a ripristinarne lo stato originale, portando a una modifica del valore dei dati memorizzati nella cella. <\/p>\n
Per proteggere dai RowHammer, i produttori di chip hanno implementato un meccanismo TRR (Target Row Refresh), che protegge dalla distorsione delle celle nelle righe adiacenti. Il metodo Half-Double consente di eludere questa protezione, manipolando il fatto che le distorsioni non sono limitate alle righe adiacenti e si diffondono ad altre righe di memoria, sebbene in misura minore. Gli ingegneri di Google hanno dimostrato che per le righe di memoria 'A', 'B' e 'C', \u00e8 possibile attaccare la riga 'C' con un accesso molto intenso alla riga 'A' e una bassa attivit\u00e0 che coinvolge la riga 'B'. Gli accessi alla riga 'B' durante l'attacco attivano una fuga di cariche non lineare e consentono di utilizzare la riga 'B' come mezzo per trasmettere l'effetto Rowhammer dalla riga 'A' a 'C'.
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A differenza dell'attacco TRRespass, che manipola le vulnerabilit\u00e0 in diverse implementazioni del meccanismo di prevenzione delle alterazioni delle celle, l'attacco Half-Double si basa sulle propriet\u00e0 fisiche del substrato di silicio. Half-Double dimostra che gli effetti che probabilmente portano a Rowhammer sono una propriet\u00e0 della distanza, piuttosto che del contatto diretto delle celle. Con la riduzione della geometria delle celle nei chip moderni, aumenta anche il raggio d'azione delle alterazioni. \u00c8 possibile che l'effetto si manifesti a distanze superiori a due righe. <\/p>\n
Si segnala che insieme all'associazione JEDEC sono state sviluppate diverse proposte analizzando le possibili vie per bloccare tali attacchi. Le informazioni sul metodo sono state divulgate, poich\u00e9 Google ritiene che la ricerca condotta ampli la comprensione del fenomeno Rowhammer e sottolinei l'importanza della collaborazione tra ricercatori, produttori di chip e altre parti interessate per lo sviluppo di una soluzione completa e di lungo termine per la protezione. \n Fonte: opennet.ru<\/a> <\/p>","protected":false,"gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"html"}]},"excerpt":{"rendered":"
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