{"id":100281,"date":"2021-05-26T04:22:47","date_gmt":"2021-05-26T02:22:48","guid":{"rendered":"https:\/\/prohoster.info\/blog\/novosti-interneta\/novaya-tehnika-ataki-rowhammer-na-dram-pamyat"},"modified":"2021-05-26T04:22:47","modified_gmt":"2021-05-26T02:22:48","slug":"novaya-tehnika-ataki-rowhammer-na-dram-pamyat","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/prohoster.info\/it\/blog\/news\/novaya-tehnika-ataki-rowhammer-na-dram-pamyat","title":{"rendered":"Nuova tecnica di attacco RowHammer sulla memoria DRAM","gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"text"}]},"content":{"rendered":"
Google ha presentato «Half-Double», una nuova tecnica di attacco di tipo RowHammer, che consente di modificare il contenuto di bit singoli nella memoria ad accesso casuale dinamica (DRAM). L'attacco si verifica su alcuni chip DRAM moderni, in cui i produttori hanno ridotto la geometria delle celle. <\/p>\n
Ricordiamo che gli attacchi di tipo RowHammer consentono di alterare il contenuto di singoli bit della memoria tramite letture cicliche dei dati dalle celle di memoria adiacenti. Poich\u00e9 la memoria DRAM \u00e8 un array bidimensionale di celle, ciascuna costituita da un condensatore e da un transistor, la lettura continua di una stessa area di memoria provoca fluttuazioni di tensione e anomalie che causano una leggera perdita di carica nelle celle adiacenti. Se l'intensit\u00e0 della lettura \u00e8 sufficientemente elevata, la cella adiacente pu\u00f2 perdere una quantit\u00e0 significativa di carica e il successivo ciclo di rigenerazione non sar\u00e0 in grado di ripristinare il suo stato originale, portando a una modifica del valore dei dati memorizzati nella cella. <\/p>\n
Per proteggere contro RowHammer, i produttori di chip hanno implementato il meccanismo TRR (Target Row Refresh), che protegge dalle alterazioni delle celle nelle righe adiacenti. Il metodo Half-Double consente di eludere questa protezione, manipulando il fatto che le alterazioni non si limitano alle righe vicine, ma si estendono ad altre righe di memoria, sebbene in misura minore. Gli ingegneri di Google hanno dimostrato che per righe di memoria «A», «B» e «C», \u00e8 possibile attaccare la riga «C» con un accesso molto intenso alla riga «A» e una bassa attivit\u00e0 che coinvolge la riga «B». Le richieste alla riga «B» durante l'attacco attivano una perdita di carica non lineare e permettono di utilizzare la riga «B» come mezzo di trasporto per la trasmissione dell'effetto Rowhammer dalla riga «A» alla riga «C».
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A differenza dell'attacco TRRespass, che sfrutta le vulnerabilit\u00e0 nelle varie implementazioni del meccanismo di prevenzione della distorsione delle celle, l'attacco Half-Double si basa sulle propriet\u00e0 fisiche del substrato di silicio. Half-Double dimostra che gli effetti che portano al Rowhammer sono probabilmente legati alla distanza, piuttosto che alla stretta aderenza delle celle. Con la miniaturizzazione delle celle nei chip moderni, aumenta anche il raggio di influenza delle distorsioni. Non si pu\u00f2 escludere che l'effetto si manifesti a una distanza superiore a due righe. <\/p>\n
Si segnala che, in collaborazione con l'associazione JEDEC, sono state sviluppate diverse proposte per analizzare possibili modi per bloccare tali attacchi. Le informazioni sul metodo sono state divulgate, poich\u00e9 Google ritiene che la ricerca condotta amplii significativamente la comprensione del fenomeno Rowhammer e sottolinei l'importanza della collaborazione tra ricercatori, produttori di chip e altre parti interessate nello sviluppo di una soluzione completa e duratura per la protezione. \n Fonte: opennet.ru<\/a> <\/p>","protected":false,"gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"html"}]},"excerpt":{"rendered":"
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