{"id":166072,"date":"2026-03-24T23:13:48","date_gmt":"2026-03-24T21:13:51","guid":{"rendered":"https:\/\/prohoster.info\/blog\/novosti-interneta\/za-predelami-euv-lace-lithography-gotovit-litografiyu-na-atomah-geliya-s-razresheniem-01-nm"},"modified":"2026-03-27T13:27:33","modified_gmt":"2026-03-27T11:27:33","slug":"za-predelami-euv-lace-lithography-gotovit-litografiyu-na-atomah-geliya-s-razresheniem-01-nm","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/prohoster.info\/it\/blog\/news\/za-predelami-euv-lace-lithography-gotovit-litografiyu-na-atomah-geliya-s-razresheniem-01-nm","title":{"rendered":"\u00abOltre l'EUV\u00bb: Lace Lithography prepara la litografia con atomi di elio con risoluzione di 0,1 nm","gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"text"}]},"content":{"rendered":"

La startup norvegese Lace Lithography, con il supporto di Microsoft, ha raccolto 40 milioni di dollari in un primo round di finanziamento per sviluppare uno scanner litografico che utilizza un fascio di atomi di elio per trattare i wafer di silicio. L'azienda afferma che la sua tecnologia permetter\u00e0 di creare componenti dei chip di dimensioni dieci volte inferiori rispetto ai sistemi di litografia esistenti, con una larghezza del fascio di solo 0,1 nm \u2014 gli scanner EUV di ASML utilizzano radiazioni con una lunghezza d'onda di 13,5 nm.<\/p>\n

<\/center>\"\u00abOltre<\/p>\n

Il vantaggio del sistema Lace sta nel fatto che gli atomi non hanno un limite di diffrazione, mentre la litografia fotonica, comprese le soluzioni EUV di ASML, \u00e8 limitata dalla lunghezza d'onda della luce utilizzata. Man mano che i produttori di semiconduttori riducono le dimensioni dei componenti, si affidano a metodi sempre pi\u00f9 complessi di formazione a pi\u00f9 strati del modello per superare questo limite, ma Lace utilizza un approccio diverso, sostituendo i fotoni con atomi di elio neutro e un fascio la cui larghezza \u00e8 pari a quella di un singolo atomo di idrogeno.<\/p>\n

Lace descrive i suoi sistemi come BEUV, o Beyond-EUV (\u00aboltre l'EUV\u00bb). La CEO e co-fondatrice di Lace, Bodil Holst, ha dichiarato che la tecnologia sviluppata dall'azienda permetter\u00e0 ai produttori di semiconduttori di stampare wafer con \u00abun'accuratezza alla fine atomica\u00bb. Il CTO della litografia di Imec, John Petersen, ritiene che questo approccio possa ridurre i transistor e altri componenti di un ordine di grandezza, fino a un livello \u00abquasi inimmaginabile\u00bb.<\/p>\n

Lace si \u00e8 unita al numero crescente di startup che sviluppano alternative alla litografia avanzata di ASML. Le aziende americane Substrate e xLight stanno sviluppando fonti di luce basate su acceleratori di particelle per litografia EUV o a raggi X, mentre xLight ha ottenuto 150 milioni di dollari di finanziamenti pubblici dagli Stati Uniti. Canon ha fornito il suo primo strumento per litografia a nanoimpressione al Texas Institute of Electronics gi\u00e0 a settembre 2024, e la societ\u00e0 cinese Prinano ha recentemente presentato il proprio sistema di litografia a nanoimpressione sul mercato interno.<\/p>\n

Tuttavia, l'approccio di Lace si distingue da tutte queste aziende. Mentre Substrate e xLight continuano a utilizzare fotoni, Lace rifiuta completamente le radiazioni elettromagnetiche. Anche se Lace ha gi\u00e0 realizzato prototipi del sistema, il divario tra laboratorio e produzione \u00e8, come sempre, enorme. Attualmente, l'azienda prevede di implementare un banco di prova in un impianto pilota entro il 2029, mentre le tempistiche per il passaggio alla produzione in serie non sono ancora state comunicate.<\/p>\n

Vale la pena notare che ASML ha speso decenni e miliardi di dollari per trasformare la litografia EUV da concetto di ricerca a prodotto commerciale. Attualmente, Lace impiega oltre 50 persone in Norvegia, Spagna, Regno Unito e Paesi Bassi, e i primi risultati delle sue ricerche sono stati presentati per la prima volta alla conferenza SPIE Advanced Lithography + Patterning 2026.<\/p>\n

Fonte:<\/strong><\/p>\n