{"id":166072,"date":"2026-03-24T23:13:48","date_gmt":"2026-03-24T21:13:51","guid":{"rendered":"https:\/\/prohoster.info\/blog\/novosti-interneta\/za-predelami-euv-lace-lithography-gotovit-litografiyu-na-atomah-geliya-s-razresheniem-01-nm"},"modified":"2026-03-27T13:27:33","modified_gmt":"2026-03-27T11:27:33","slug":"za-predelami-euv-lace-lithography-gotovit-litografiyu-na-atomah-geliya-s-razresheniem-01-nm","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/prohoster.info\/it\/blog\/novosti-interneta\/za-predelami-euv-lace-lithography-gotovit-litografiyu-na-atomah-geliya-s-razresheniem-01-nm","title":{"rendered":"\u00abOltre l'EUV\u00bb: Lace Lithography sta preparando la litografia basata su atomi di elio con una risoluzione di 0,1 nm","gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"text"}]},"content":{"rendered":"

La startup norvegese Lace Lithography, con il supporto di Microsoft, ha raccolto 40 milioni di dollari nel primo round di finanziamento per sviluppare uno scanner litografico che utilizza un fascio di atomi di elio per trattare le wafer di silicio. L'azienda afferma che la sua tecnologia consentir\u00e0 di creare elementi dei chip dieci volte pi\u00f9 piccoli rispetto ai sistemi litografici esistenti, con un'ampiezza del fascio di soli 0,1 nm \u2014 gli scanner EUV di ASML utilizzano radiazioni con una lunghezza d'onda di 13,5 nm.<\/p>\n

<\/center>\"\u00abOltre<\/p>\n

Il vantaggio del sistema Lace risiede nel fatto che gli atomi non hanno un limite di diffrazione, mentre la litografia fotonica, incluse le sistemi EUV di ASML, \u00e8 limitata dalla lunghezza d'onda della luce utilizzata. Man mano che i produttori di circuiti integrati riducono le dimensioni degli elementi, si affidano a metodi sempre pi\u00f9 complessi per la formazione di modelli a pi\u00f9 strati, per aggirare questo limite, ma Lace utilizza un approccio diverso, sostituendo i fotoni con atomi neutri di elio e un fascio la cui larghezza \u00e8 approssimativamente pari a quella di un singolo atomo di idrogeno.<\/p>\n

Lace descrive i suoi sistemi come BEUV, o Beyond-EUV (\u00abal di l\u00e0 di EUV\u00bb). Il CEO e cofondatore di Lace, Bodil Holst, ha dichiarato che la tecnologia sviluppata dall'azienda permetter\u00e0 ai produttori di semiconduttori di stampare wafer con \"risoluzione che alla fine sar\u00e0 atomica\". Il direttore scientifico della litografia di Imec, John Petersen, ritiene che questo approccio possa ridurre i transistor e altri elementi di un ordine di grandezza, fino a una \"dimensione quasi inimmaginabile\".<\/p>\n

Lace si \u00e8 unita a un numero crescente di startup che sviluppano alternative alla litografia avanzata di ASML. Le aziende americane Substrate e xLight stanno sviluppando sorgenti luminose basate su acceleratori di particelle per la litografia EUV o a raggi X, mentre xLight ha ricevuto 150 milioni di dollari di finanziamenti pubblici dagli Stati Uniti. Canon ha fornito il suo primo strumento per la litografia a nanoimpronta al Texas Institute of Electronics gi\u00e0 nel settembre 2024, e l'azienda cinese Prinano ha recentemente presentato il proprio sistema di litografia a nanoimpronta sul mercato interno.<\/p>\n

Tuttavia, l'approccio di Lace si distingue da tutte queste aziende. Mentre Substrate e xLight utilizzano ancora fotoni, Lace rifiuta completamente le radiazioni elettromagnetiche. Sebbene Lace abbia gi\u00e0 creato i prototipi del sistema, il divario tra laboratorio e produzione \u00e8, come sempre, enorme. Attualmente, l'azienda prevede di implementare un banco di prova in un impianto pilota entro il 2029, mentre non sono ancora state rese note le tempistiche per il passaggio alla produzione in serie.<\/p>\n

Va notato che ASML ha speso decenni e miliardi di dollari per trasformare la litografia EUV da concetto di ricerca a prodotto commerciale. Attualmente, in Lace lavorano oltre 50 persone in Norvegia, Spagna, Regno Unito e Paesi Bassi, e i primi risultati delle loro ricerche sono stati presentati per la prima volta alla conferenza SPIE Advanced Lithography + Patterning 2026.<\/p>\n

Fonte:<\/strong><\/p>\n