הגרסה השנייה של טכנולוגיית Xtacking הוכנה עבור 3D NAND הסינית

כמו сообщают סוכנויות הידיעות הסיניות, Yangtze Memory Technologies (YMTC) הכינו את הגרסה השנייה של טכנולוגיית ה-Xtacking הקניינית שלה כדי לייעל את הייצור של זיכרון פלאש תלת-ממדי NAND רב-שכבתי. טכנולוגיית Xtacking, כזכור, הוצגה בפורום השנתי של Flash Memory Summit באוגוסט אשתקד ואף קיבלה פרס בקטגוריית "הסטארטאפ החדשני ביותר בתחום זיכרון הפלאש".

כמובן, לקרוא למיזם עם תקציב של מיליארדי דולרים כסטארט-אפ זה בבירור לזלזל בחברה, אבל, בואו נהיה כנים, YMTC עדיין לא מייצרת מוצרים בכמויות המוניות. החברה תעבור לאספקה ​​מסחרית המונית של 3D NAND קרוב יותר לסוף השנה הנוכחית, כאשר תשיק ייצור של זיכרון 128-Gbit 64 שכבות, אשר, אגב, ייתמך על ידי אותה טכנולוגיית Xtacking חדשנית.

כדלקמן מדיווחים אחרונים, לאחרונה בפורום GSA Memory+, ה-Yangtze Memory CTO Tang Jiang הודה שטכנולוגיית Xtacking 2.0 תוצג באוגוסט. לרוע המזל, המנהל הטכני של החברה לא שיתף את פרטי הפיתוח החדש, ולכן נצטרך לחכות עד אוגוסט. כפי שמראה תרגול העבר, החברה שומרת סוד עד הסוף ולפני תחילת Flash Memory Summit 2019, לא סביר שנלמד משהו מעניין על Xtacking 2.0.

באשר לטכנולוגיית ה-Xtacking עצמה, המטרה שלה הייתה שלוש נקודות: יש השפעה מכרעת על ייצור NAND 3D ומוצרים המבוססים עליו. אלו הם מהירות הממשק של שבבי זיכרון פלאש, עלייה בצפיפות ההקלטה ומהירות הבאת מוצרים חדשים לשוק. טכנולוגיית Xtacking מאפשרת להגדיל את שער החליפין עם מערך הזיכרון בשבבי NAND 3D מ-1–1,4 Gbit/s (ממשקי ONFi 4.1 ו- ToggleDDR) ל-3 Gbit/s. ככל שיגדל קיבולת השבבים, הדרישות למהירות ההחלפה יגדלו, והסינים מקווים להיות הראשונים לעשות פריצת דרך בתחום זה.

ישנו מכשול נוסף להגדלת צפיפות ההקלטה - הנוכחות על שבב ה-NAND התלת-ממדי של לא רק מערך זיכרון, אלא גם מעגלי בקרה היקפיים וכוח. מעגלים אלו לוקחים מ-3% עד 20% מהשטח השמיש ממערכים זיכרון, ו-30% משטח השבב יילקחו משבבי 128 ג'יגה-ביט. במקרה של טכנולוגיית Xtacking, מערך הזיכרון מיוצר על שבב משלו, ומעגלי הבקרה מיוצרים על גבי אחר. הגביש מוקדש לחלוטין לתאי זיכרון, ומעגלי בקרה בשלב הסופי של הרכבת השבבים מחוברים לקריסטל עם זיכרון.

ייצור נפרד והרכבה לאחר מכן מאפשרים גם פיתוח מהיר יותר של שבבי זיכרון מותאמים אישית ומוצרים מותאמים אישית המורכבים כמו לבנים לשילוב הנכון. גישה זו מאפשרת לנו לצמצם את הפיתוח של שבבי זיכרון מותאמים אישית ב-3 חודשים לפחות מתוך זמן פיתוח כולל של 12 עד 18 חודשים. גמישות רבה יותר פירושה עניין גבוה יותר של לקוחות, שהיצרן הסיני הצעיר צריך כמו אוויר.

מקור: 3dnews.ru