אינטל מכינה QLC NAND 144 שכבות ומפתחת חמישה סיביות PLC NAND

הבוקר בסיאול, דרום קוריאה, קיימה אינטל את אירוע "יום הזיכרון והאחסון 2019" המוקדש לתוכניות עתידיות בשוק הזיכרון והכונן המוצק. שם דיברו נציגי החברה על דגמי Optane העתידיים, התקדמות בפיתוח של חמש סיביות PLC NAND (Penta Level Cell) וטכנולוגיות מבטיחות נוספות שהיא מתכננת לקדם בשנים הקרובות. אינטל דיברה גם על רצונה להציג זיכרון RAM לא נדיף במחשבים שולחניים בטווח הארוך ועל דגמים חדשים של כונני SSD מוכרים לפלח זה.

החלק הכי לא צפוי במצגת של אינטל על פיתוחים מתמשכים היה הסיפור על PLC NAND - סוג צפוף עוד יותר של זיכרון פלאש. החברה מדגישה שבמהלך השנתיים האחרונות, כמות הנתונים הכוללת שיוצרו בעולם הוכפלה, כך שכוננים המבוססים על ארבע סיביות QLC NAND כבר לא נראים כפתרון טוב לבעיה זו - התעשייה זקוקה לכמה אפשרויות עם יותר צפיפות אחסון. הפלט צריך להיות זיכרון פלאש מסוג Penta-Level Cell (PLC), שכל תא מאחסן חמש סיביות של נתונים בבת אחת. לפיכך, ההיררכיה של סוגי זיכרון הפלאש תיראה בקרוב כמו SLC-MLC-TLC-QLC-PLC. ה-PLC NAND החדש יוכל לאחסן פי חמישה יותר נתונים בהשוואה ל-SLC, אך, כמובן, עם ביצועים ואמינות נמוכים יותר, מכיוון שהבקר יצטרך להבחין בין 32 מצבי טעינה שונים של התא כדי לכתוב ולקרוא חמש סיביות .

ראוי לציין כי אינטל לא לבד במסעה לייצר זיכרון פלאש צפוף עוד יותר. טושיבה דיברה גם על תוכניות ליצור PLC NAND במהלך פסגת זיכרון הפלאש שהתקיימה באוגוסט. עם זאת, הטכנולוגיה של אינטל שונה משמעותית: החברה משתמשת בתאי זיכרון עם שער צף, בעוד שהעיצובים של Toshiba בנויים סביב תאים מבוססי מלכודת טעינה. עם הגדלת צפיפות אחסון המידע, שער צף נראה כפתרון הטוב ביותר, שכן הוא ממזער את ההשפעה ההדדית וזרימת המטענים בתאים ומאפשר לקרוא נתונים עם פחות שגיאות. במילים אחרות, העיצוב של אינטל מתאים יותר להגדלת הצפיפות, דבר המאושר על ידי תוצאות בדיקה של QLC NAND זמין מסחרית שנעשו באמצעות טכנולוגיות שונות. בדיקות כאלה מראות שהשפלת הנתונים בתאי זיכרון QLC המבוססים על שער צף מתרחשת פי שניים עד שלוש בהשוואה לתאי QLC NAND עם מלכודת מטען.

על רקע זה, המידע שמיקרון החליטה לשתף את אינטל בפיתוח זיכרון הפלאש שלה, בין היתר, בגלל הרצון לעבור לשימוש בתאי מלכודת מטען, נראה מעניין למדי. אינטל נשארת מחויבת לטכנולוגיה המקורית ומיישמת אותה באופן שיטתי בכל הפתרונות החדשים.

בנוסף ל-PLC NAND, שעדיין נמצא בפיתוח, אינטל מתכוונת להגדיל את צפיפות האחסון של המידע בזיכרון הפלאש באמצעות טכנולוגיות אחרות ובמחיר סביר יותר. בפרט, החברה אישרה את המעבר הממשמש ובא לייצור המוני של QLC 96D NAND 3 שכבות: הוא ישמש בכונן צרכני חדש אינטל SSD 665p.

לאחר מכן, שליטה בייצור של 144 שכבות QLC 3D NAND - זה יגיע לכונני ייצור בשנה הבאה. זה מוזר שאינטל הכחישה עד כה כל כוונה להשתמש בהלחמה משולשת של גבישים מונוליטיים, כך שבעוד שעיצוב 96 השכבות כולל הרכבה אנכית של שני גבישים בני 48 שכבות, ככל הנראה טכנולוגיית 144 השכבות תתבסס על 72 שכבות. "מוצרים מוגמרים למחצה".

לצד הגידול במספר השכבות בקריסטלים של QLC 3D NAND, מפתחי אינטל עדיין לא מתכוונים להגדיל את הקיבולת של הגבישים עצמם. בהתבסס על טכנולוגיות של 96 ו-144 שכבות, אותם גבישי טרה-ביט ייוצרו כמו הדור הראשון של QLC 64D NAND בעל 3 שכבות. זה נובע מהרצון לספק ל-SSD המבוססים עליו רמת ביצועים מקובלת. כונני ה-SSD הראשונים שישתמשו בזיכרון 144 שכבות יהיו כונני שרת Arbordale+.

מקור: 3dnews.ru