הסינים הציגו את ה-SSD הראשון המבוסס על זיכרון DRAM מקומי, 3D NAND ועם בקר משלו

לאחרונה, בתערוכת המידע השביעית של China Electronic Information (CITE2019) בשנג'ן, הודגם בדוכן של Tsinghua Unigroup כונן ה-solid-state SSD P8260 הראשון, שהורכב אך ורק מרכיבים סיניים. זהו SSD בדרגת שרת שבו הבקר, מאגר DRAM ומערך NAND 3D מתוכננים ומיוצרים בסין. ובכן, סין עשתה צעד נוסף ומצפה ללכת בדרך זו לעצמאות מוחלטת מזיכרון הייצור הזר.

כל מי שעוקב אחר החדשות על פיתוח וייצור של זיכרון NAND תלת מימדי בסין יודע שייצור שבבי זיכרון פלאש מתבצע על ידי מיזם משותף עם Tsinghua, Yangtze River Storage Technology (YMTC). כונני ה-P3 כוללים את מוצרי NAND 8260-שכבתי 32Gb 3D NAND הראשונים של YMTC. לקראת סוף השנה, תחל היצרנית לייצר שבבי 64 Gbit 128 שכבות 64D NAND, שיאפשרו ל-YMTC להפוך לזמינה מסחרית - בעוד הייצור אובד. 

זיכרון DRAM עבור מאגר SSD מיוצר על ידי חברת הבת של Tsinghua Guoxin Micro. גודל המאגר אינו מדווח. הבקר פותח על ידי החברה הסינית Beijing Ziguang Storage Technology, המזוהה גם עם Tsinghua Unigroup.

הבקר והכונן P8260 תומכים בפרוטוקול NVMe 1.2.1 ובממשק PCI Express 3.0 x4. הוכרזה תמיכה ב-16 ערוצי זיכרון, מה שמבטיח רוחב פס גבוה, אך גם נתונים מדויקים על הביצועים של ה-P8260 אינם מדווחים. כדי לעבוד עם מאגר ה-DRAM, למעבד יש בקר זיכרון דו-ערוצי מובנה עם אוטובוס של 40 סיביות ותמיכה ב-ECC. מוצגות שתי גרסאות של SSD P8260: עם קיבולת של 1 ו-2 TB בפורמטים של כרטיס PCIe וכונן U.2.

בנוסף לכונני P8260, היצרן הראה גם כונני SSD לצרכנים של משפחות P100 ו-S100. עם זאת, החברה רוכשת זיכרון NAND 3D עבור דגמים אלה משותפים. שותפה אחת כזו, למשל, היא אינטל.

מקור: 3dnews.ru