סמסונג החלה לקבל הזמנות לייצור שבבי 5nm

סמסונג מנצלת את היתרון החלוצי שלה בליטוגרפיה מוליכים למחצה באמצעות סורקי EUV. בעוד TSMC מתכוננת להתחיל להשתמש בסורקי 13,5 ננומטר ביוני, תוך התאמתם לייצור שבבים בדור השני של תהליך ה-7 ננומטר, סמסונג צוללת לעומק מצהיר על השלמת הפיתוח של תהליך טכני עם תקני עיצוב של 5 ננומטר. יתרה מכך, הענקית הדרום קוריאנית הודיעה על תחילת קבלת הזמנות לייצור פתרונות 5 ננומטר לייצור על פרוסות מרובות עיצוב. משמעות הדבר היא שסמסונג מוכנה לקבל עיצובי שבבים דיגיטליים עם תקני 5 ננומטר ולייצר קבוצות פיילוט של סיליקון עובד 5 ננומטר.

עזרה לחברה לעבור במהירות מהצעת 7nm עם EUV לייצור פתרונות 5nm עם EUV הייתה העובדה שסמסונג שמרה על יכולת פעולה הדדית בין אלמנטים עיצוביים (IP), עיצוב וכלי בדיקה. בין היתר, המשמעות היא שלקוחות החברה יחסכו כסף ברכישת כלי עיצוב, בדיקות וחסימות IP מוכנות. PDKs לעיצוב, מתודולוגיה (DM, מתודולוגיות עיצוב) ופלטפורמות עיצוב אוטומטיות של EDA הפכו לזמינות כחלק מפיתוח השבבים עבור תקני ה-7 ננומטר של סמסונג עם EUV ברבעון הרביעי של השנה שעברה. כל הכלים הללו יבטיחו פיתוח של פרויקטים דיגיטליים גם עבור טכנולוגיית התהליך של 5 ננומטר עם טרנזיסטורי FinFET.

בהשוואה לתהליך 7nm באמצעות סורקי EUV, אשר החברה הושק באוקטובר בשנה שעברה, טכנולוגיית התהליך של 5 ננומטר תספק גידול של 25% ביעילות השימוש באזור השבב (סמסונג נמנעת מהצהרות ישירות על הקטנת גודל שטח השבב ב-25%, מה שמותיר לה מרחב לתמרן את המספרים). כמו כן, המעבר לתהליך של 5 ננומטר יקטין את צריכת השבבים ב-20% או יגדיל את ביצועי הפתרונות ב-10%. בונוס נוסף יהיה הפחתת מספר מסכות הפוטומסק הדרושות לייצור מוליכים למחצה.

סמסונג מייצרת מוצרים באמצעות סורקי EUV במפעל S3 בהוואסונג. במחצית השנייה של השנה תשלים החברה בניית מתקן חדש ליד Fab S3, שיהיה מוכן לייצור שבבים בתהליכי EUV בשנה הבאה.

מקור: 3dnews.ru