סמסונג מאיצה את הפיתוח של זיכרון NAND תלת מימד 160 שכבות

השבוע חברת YMTC הסינית דווח על פיתוח זיכרון פלאש NAND תלת מימדי בן 128 שכבות שובר שיאים. הסינים ידלגו על שלב הייצור של זיכרון 3 שכבות ובסוף השנה יתחילו מיד לייצר זיכרון 96 שכבות. כך הם יגיעו לרמה של מובילי התעשייה, שמקבילה להנפת ​​סמרטוט אדומה מול שור. וה"שוורים" הגיבו כצפוי.

האתר הדרום קוריאני ETNews היום сообщилשסמסונג האיצה את הפיתוח של 160 שכבות 3D NAND (או V-NAND, כפי שהחברה מכנה זיכרון פלאש רב שכבתי). סמסונג מכנה זאת אסטרטגיית "פער סופר", או משחק קדימה, שאמורה לעזור למנהיגי הטכנולוגיה הדרום קוריאנית להישאר לפני המתחרים. מכיוון שההצלחה של סמסונג נמצאת בלב הכלכלה הדרום קוריאנית, מדובר בעניין של שגשוג לכל האומה, ולכן החברה מתייחסת לעבודתה ברצינות.

סמסונג הציגה זיכרון עם 100+ שכבות אוגוסט שנה שעברה. אנו יכולים להניח שהחברה משחררת זיכרון 128 שכבות קונבנציונלי ברבעון השלישי ברציפות (מספר השכבות המדויק נותר לא ידוע בוודאות). הבא בסצנה צריך להיות זיכרון סמסונג עם 160 או אפילו יותר שכבות. זה יהיה שייך לדור השביעי של זיכרון V-NAND. לפי השמועות, החברה התקדמה משמעותית בפיתוחה. יש דעה שסמסונג תהיה הראשונה להגיע לסימן 7 השכבות, כפי שקרה בכל הדורות הקודמים של זיכרון NAND תלת מימד.

מקור: 3dnews.ru