סמסונג השלימה פיתוח של שבבי DDR8 מהדור השלישי של 4Gbit בדרגת 10nm

Samsung Electronics ממשיכה לצלול לתוך טכנולוגיית התהליך של 10 ננומטר. הפעם, רק 16 חודשים לאחר תחילת הייצור ההמוני של זיכרון DDR4 באמצעות טכנולוגיית תהליך 10nm class (1y-nm) מהדור השני, השלימה היצרנית הדרום קוריאנית את הפיתוח של קוביות זיכרון DDR4 באמצעות הדור השלישי של 10nm class ( טכנולוגיית תהליך 1z-nm). מה שחשוב הוא שתהליך הדור השלישי בכיתה 10nm עדיין משתמש בסורקי ליתוגרפיה של 193nm ואינו מסתמך על סורקי EUV בעלי ביצועים נמוכים. המשמעות היא שהמעבר לייצור המוני של זיכרון באמצעות טכנולוגיית התהליך העדכנית ביותר של 1z-nm יהיה מהיר יחסית וללא עלויות כספיות משמעותיות עבור אבזור מחדש של קווים.

החברה תתחיל בייצור המוני של שבבי DDR8 של 4 ג'יגה-ביט תוך שימוש בטכנולוגיית תהליך ה-1z-nm של מחלקת 10 ננומטר במחצית השנייה של השנה. כפי שהיה נהוג מאז המעבר לטכנולוגיית התהליך 20nm, סמסונג לא חושפת את המפרט המדויק של טכנולוגיית התהליך. ההנחה היא שהתהליך הטכני של החברה 1x-nm 10-nm עומד בתקני 18 ננומטר, תהליך 1y-nm עומד בתקנים של 17 או 16 ננומטר, וה-1z-nm העדכני ביותר עומד בתקני 16 או 15 ננומטר, וכן אולי אפילו עד 13 ננומטר. בכל מקרה, הקטנת קנה המידה של התהליך הטכני הגדילה שוב את תפוקת הגבישים מ-wafer אחד, כפי שמודה סמסונג, ב-20%. בעתיד, זה יאפשר לחברה למכור זיכרון חדש בזול יותר או במרווח טוב יותר עד שהמתחרים ישיגו תוצאות דומות בייצור. עם זאת, זה קצת מדאיג שסמסונג לא הצליחה ליצור גביש 1z-nm 16 Gbit DDR4. זה עשוי לרמוז על הצפי לעלייה בשיעורי הפגמים בייצור.

באמצעות הדור השלישי של טכנולוגיית התהליך בדרגת 10nm, החברה תהיה הראשונה לייצר זיכרון שרת וזיכרון עבור מחשבי PC מתקדמים. בעתיד, טכנולוגיית התהליך 1z-nm 10nm class תותאם לייצור זיכרון DDR5, LPDDR5 ו-GDDR6. שרתים, מכשירים ניידים וגרפיקה יוכלו לנצל את מלוא היתרונות של זיכרון מהיר יותר ופחות זולל זיכרון, מה שיקל על המעבר לתקני ייצור דקים יותר.

מקור: 3dnews.ru