בסמסונג כל ננומטר נחשב: אחרי 7 ננומטר יהיו תהליכים טכנולוגיים של 6, 5, 4 ו-3 ננומטר

היום סמסונג אלקטרוניקה דווח על תוכניות לפיתוח תהליכים טכניים לייצור מוליכים למחצה. החברה רואה ביצירת פרויקטים דיגיטליים של שבבי 3 ננומטר ניסיוניים המבוססים על טרנזיסטורי MBCFET פטנטים כהישג הנוכחי העיקרי. מדובר בטרנזיסטורים עם מספר ערוצי ננו-דף אופקיים בשערי FET אנכיים (Multi-Bridge-Channel FET).

כחלק מברית עם IBM פיתחה סמסונג טכנולוגיה מעט שונה לייצור טרנזיסטורים עם ערוצים מוקפים לחלוטין בשערים (GAA או Gate-All-Around). הערוצים היו אמורים להיות דקים בצורה של ננו-חוטים. לאחר מכן, סמסונג התרחקה מהתוכנית הזו ורשמה פטנט על מבנה טרנזיסטור עם ערוצים בצורה של ננו-דפים. מבנה זה מאפשר לך לשלוט במאפיינים של טרנזיסטורים על ידי מניפולציה הן במספר העמודים (ערוצים) והן על ידי התאמת רוחב העמודים. עבור טכנולוגיית FET קלאסית, תמרון כזה הוא בלתי אפשרי. כדי להגדיל את ההספק של טרנזיסטור FinFET, יש צורך להכפיל את מספר סנפירי ה-FET על המצע, וזה דורש שטח. ניתן לשנות את המאפיינים של טרנזיסטור MBCFET בתוך שער פיזי אחד, שעבורו עליך להגדיר את רוחב הערוצים ומספרם.

הזמינות של עיצוב דיגיטלי (מודבק) של שבב אב טיפוס לייצור באמצעות תהליך GAA אפשרה לסמסונג לקבוע את גבולות היכולות של טרנזיסטורי MBCFET. יש לזכור שעדיין מדובר בנתוני מודלים ממוחשבים וניתן לשפוט את התהליך הטכני החדש רק לאחר שהושק לייצור המוני. עם זאת, יש נקודת התחלה. מהחברה נמסר כי המעבר מתהליך ה-7 ננומטר (כמובן מהדור הראשון) לתהליך ה-GAA יספק הפחתה של 45% בשטח המות והפחתה של 50% בצריכה. אם לא חוסכים בצריכה, ניתן להגדיל את הפריון ב-35%. בעבר, סמסונג ראתה חיסכון ורווחי פרודוקטיביות בעת המעבר לתהליך 3nm ברשימה מופרד בפסיקים. התברר שזה או זה או אחר.

החברה רואה בהכנת פלטפורמת ענן ציבורית עבור מפתחי שבבים עצמאיים וחברות חסרות אגדות כנקודה חשובה בפופולריות של טכנולוגיית תהליך ה-3nm. סמסונג לא הסתירה את סביבת הפיתוח, אימות הפרויקט והספריות בשרתי הייצור. פלטפורמת SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem Cloud) תהיה זמינה למעצבים ברחבי העולם. פלטפורמת הענן SAFE נוצרה בהשתתפות שירותי ענן ציבוריים גדולים כמו Amazon Web Services (AWS) ו-Microsoft Azure. מפתחי מערכות עיצוב מ-Cadence ו-Synopsys סיפקו את כלי העיצוב שלהם בתוך SAFE. זה מבטיח להקל וזול יותר ליצור פתרונות חדשים לתהליכי סמסונג.

אם נחזור לטכנולוגיית תהליך ה-3nm של סמסונג, נוסיף שהחברה הציגה את הגרסה הראשונה של חבילת פיתוח השבבים שלה - 3nm GAE PDK גרסה 0.1. בעזרתו תוכלו להתחיל לעצב פתרונות 3nm כבר היום, או לפחות להתכונן לעמוד בתהליך הזה של סמסונג כשהוא יהפוך לנפוץ.

סמסונג מכריזה על תוכניותיה העתידיות כדלקמן. במחצית השנייה של השנה יושק ייצור המוני של שבבים בתהליך 6nm. במקביל, יושלם פיתוח טכנולוגיית התהליך 4nm. הפיתוח של מוצרי סמסונג הראשונים באמצעות תהליך 5nm יושלם בסתיו הקרוב, עם השקת הייצור במחצית הראשונה של השנה הבאה. כמו כן, עד סוף השנה הנוכחית, סמסונג תשלים את הפיתוח של טכנולוגיית התהליך 18FDS (18 ננומטר על פרוסות FD-SOI) ושבבי eMRAM של 1 Gbit. טכנולוגיות תהליך מ-7 ננומטר עד 3 ננומטר ישתמשו בסורקי EUV בעוצמה הולכת וגוברת, מה שהופך כל ננומטר לספור. בהמשך הדרך למטה, כל צעד ייעשה במאבק.

מקור: 3dnews.ru