מטענים לגאדג'טים על סף מהפכה: הסינים למדו לייצר טרנזיסטורי GaN

מוליכים למחצה כוח תופסים את העניינים. במקום סיליקון משתמשים בגליום ניטריד (GaN). ממירי וספקי כוח של GaN פועלים ביעילות של עד 99%, ומספקים את היעילות הגבוהה ביותר למערכות אנרגיה, מתחנות כוח ועד מערכות אחסון וניצול חשמל. מובילות השוק החדש הן חברות מארה"ב, אירופה ויפן. עכשיו לאזור הזה נכנס החברה הראשונה מסין.

לאחרונה, יצרנית הגאדג'טים הסינית ROCK פרסמה את המטען הראשון התומך בטעינה מהירה על "שבב סיני". הפתרון המקובל בדרך כלל מבוסס על מכלול הכוח GaN של סדרת InnoGaN מבית Inno Science. השבב עשוי בפורמט DFN 8x8 הסטנדרטי עבור ספקי כוח קומפקטיים.

מטען 2W ROCK 1C65AGaN קומפקטי יותר ופונקציונלי יותר ממטען Apple 61W PD (השוואה בתמונה למעלה). המטען הסיני יכול לטעון שלושה מכשירים בו זמנית באמצעות שני ממשקי USB Type-C ואחד USB Type-A. בעתיד, ROCK מתכננת להוציא גרסאות של מטענים מהירים בהספק של 100 ו-120 W במכלולי GaN סיניים. בנוסף אליו, כ-10 יצרנים סיניים נוספים של מטענים וספקי כוח משתפים פעולה עם יצרנית אלמנטי הכוח של GaN, Inno Science.

המחקר של חברות סיניות ובפרט של חברת Inno Science בתחום רכיבי הכוח של GaN נועד להוביל לעצמאות סין מספקים זרים של פתרונות דומים. ל-Inno Science יש מרכז פיתוח ומעבדה משלה למחזור מלא של פתרונות בדיקה. אבל חשוב מכך, יש לו שני קווי ייצור לייצור פתרונות GaN על פרוסות 200 מ"מ. עבור העולם ואפילו עבור השוק הסיני, זו טיפה בדלי. אבל צריך להתחיל איפשהו.

מקור: 3dnews.ru