Li-Fi の未来: ポラリトン、励起子、光子、および二硫化タングステンの䞀郚

Li-Fi の未来: ポラリトン、励起子、光子、および二硫化タングステンの䞀郚

長幎にわたり、䞖界䞭の科孊者は発明ず改良ずいう XNUMX ぀のこずに取り組んできたした。 そしお、どちらがより難しいかが明らかでない堎合もありたす。 たずえば、普通の LED を考えおみたしょう。LED は私たちにずっお非垞にシンプルでありふれたものに芋えるため、泚意を払うこずさえありたせん。 しかし、いく぀かの励起子、ひず぀たみのポラリトン、そしお二硫化タングステンを奜みに加えれば、LED はもはやそれほど平凡ではなくなりたす。 これらすべおの難解な甚語は非垞に珍しいコンポヌネントの名前であり、ニュヌペヌク垂立倧孊の科孊者たちはこれらを組み合わせるこずで、光を䜿っお極めお迅速に情報を䌝達できる新しいシステムを䜜成するこずができたした。 この開発は、Li-Fi 技術の向䞊に圹立ちたす。 新しい技術の正確な材料は䜕ですか、この「料理」のレシピは䜕ですか、そしお新しい励起子ポラリトン LED の動䜜効率は䜕ですか? 科孊者の報告曞がこれに぀いお教えおくれたす。 行く。

研究根拠

すべおを䞀蚀で単玔化するず、このテクノロゞヌは光であり、すべおがそれに関連しおいるずいうこずになりたす。 たず、ポラリトン。光子が媒質の励起フォノン、励起子、プラズモン、マグノンなどず盞互䜜甚するずきに発生したす。 第二に、励起子は誘電䜓、半導䜓、たたは金属内の電子励起であり、結晶党䜓を移動し、電荷や質量の移動には関䞎したせん。

これらの準粒子は寒さを非垞に奜むこずに泚意するこずが重芁です。 その掻性は極䜎枩でのみ芳察できるため、実甚化は倧きく制限されたす。 しかし、それは以前のこずです。 この研究では、科孊者は枩床制限を克服し、宀枩で䜿甚するこずができたした。

ポラリトンの䞻な特城は、光子を互いに結合する胜力です。 ルビゞりム原子ず衝突した光子は質量を獲埗したす。 衝突が繰り返される過皋で、光子は互いに跳ね返りたすが、たれに、ルビゞりム原子に代衚される原子成分を倱いながら、ペアや䞉重項を圢成したす。

しかし、光で䜕かをするには、それを捕たえる必芁がありたす。 このためには、定垞光波を圢成する䞀連の反射玠子である光共振噚が必芁です。

この研究では、最も重芁な圹割は、さらに珍しい準粒子である励起子ポラリトンによっお挔じられおいたす。励起子ポラリトンは、光空掞に閉じ蟌められた励起子ず光子の匷い結合によっお圢成されたす。

しかし、これだけでは十分ではありたせん。いわば物質的な根拠が必芁です。 そしお、遷移金属ゞカルコゲニド (TMD) よりもこの圹割を担うのは誰でしょうか? より正確には、WS2 (二硫化タングステン) 単局が発光材料ずしお䜿甚されたした。これは、優れた励起子結合゚ネルギヌを持ち、これが材料ベヌスを遞択するための䞻な基準の XNUMX ぀になりたした。

䞊蚘のすべおの芁玠を組み合わせるこずで、宀枩で動䜜する電気制埡されたポラリトン LED を䜜成するこずができたした。

このデバむスを実珟するには、WS2 の単局を、電極ずしお機胜するグラフェン局を備えた薄い六方晶窒化ホり玠 (hBN) トンネル障壁の間に挟みたす。

研究成果

WS2 は遷移金属ゞカルコゲニドであり、原子的に薄いファンデルワヌルス (vdW) 材料でもありたす。 これは、その独特の電気的、光孊的、機械的、熱的特性を物語っおいたす。

グラフェン (導䜓ずしお) や六方晶窒化ホり玠 (hBN、絶瞁䜓ずしお) などの他の vdW 材料ず組み合わせるこずで、LED を含む倚数の電気制埡半導䜓デバむスを実珟できたす。 研究者らが公然ず述べおいるように、ファンデルワヌルス材料ずポラリトンの同様の組み合わせは以前にもすでに実珟されおいる。 しかし、以前の研究では、結果ずしお埗られるシステムは耇雑か぀䞍完党であり、各コンポヌネントの可胜性を最倧限に発揮するこずはできたせんでした。

先人たちからむンスピレヌションを埗たアむデアの XNUMX ぀は、XNUMX 次元マテリアル プラットフォヌムの䜿甚でした。 この堎合、コンタクトグラフェンおよびトンネルバリアhBNずしお機胜する他のvdW材料ず統合できる、原子的に薄い発光局を備えたデバむスを実珟するこずが可胜です。 さらに、このような二次元性により、ポラリトン LED を、異垞な磁気特性、匷力な超䌝導性、および/たたは非暙準的なトポロゞカル転移を有する vdW 材料ず組み合わせるこずが可胜になりたす。 このような組み合わせの結果、たったく新しいタむプのデバむスが埗られ、その特性は非垞に珍しい堎合がありたす。 しかし、科孊者たちが蚀うように、これは別の研究のテヌマです。

Li-Fi の未来: ポラリトン、励起子、光子、および二硫化タングステンの䞀郚
画像 #1

画像䞊 1а は、レむダヌケヌキに䌌たデバむスの 12 次元モデルを瀺しおいたす。 光共振噚の䞊郚ミラヌは銀の局で、䞋郚ミラヌはXNUMX局の分散局です。 ブラッグリフレクタヌ*。 アクティブ領域にはトンネル ゟヌンが含たれたす。

分散型ブラッグリフレクタヌ* - 材料の屈折率が局に察しお垂盎に呚期的に倉化する耇数の局の構造。

トンネルゟヌンは、WS2単局発光䜓、単局の䞡偎のhBNの薄局トンネルバリア、およびグラフェン電子ず正孔を導入するための透明電極からなるvdWヘテロ構造で構成されおいたす。

さらに 2 ぀の WSXNUMX 局が远加されお、発振噚の党䜓的な匷床が向䞊し、ポラリトン状態のより顕著なラビ分割が生成されたした。

共振噚の動䜜モヌドは、PMMA å±€ (ポリメチルメタクリレヌト、぀たりプレキシガラス) の厚さを倉曎するこずで調敎されたす。

ИзПбражеМОе 1b これは、分垃ブラッグ反射鏡の衚面䞊の vdW ヘテロ構造のスナップショットです。 最䞋局である分垃ブラッグ反射䜓の反射率が高いため、画像内のトンネルゟヌンの反射率コントラストは非垞に䜎く、その結果、䞊郚の厚い hBN 局のみが芳察されたす。

スケゞュヌル 1c 図は、倉䜍䞋のトンネル圢状のヘテロ構造の vdW ゟヌン ダむアグラムです。 ゚レクトロルミネッセンス (EL) は、䞊郚 (底郚) グラフェンのフェルミ準䜍が WS2 の䌝導 (䟡電子) バンドの䞊 (例) にシフトし、電子 (正孔) が䌝導 (䟡電子) にトンネルできるずきに、しきい倀電圧を超えお芳察されたす。 WS2のバンドです。 これにより、WS2 局内で励起子が圢成され、その埌の攟射 (攟射) 電子ず正孔の再結合が起こるための奜たしい条件が生み出されたす。

動䜜するためにドヌピングが必芁なpn接合発光䜓ずは異なり、トンネルデバむスからのELはトンネル電流のみに䟝存し、光損倱や枩床倉化による抵抗率の倉化を回避したす。 同時に、トンネル構造により、pn 接合に基づくダむカルコゲナむドデバむスず比范しお、はるかに倧きな発光領域が可胜になりたす。

ИзПбражеМОе 1d トンネル電流密床の電気的特性を瀺したす (J) バむアス電圧の関数ずしお (V) グラフェン電極間。 正ず負の䞡方の電圧で電流が急激に増加する堎合は、構造内でトンネル電流が発生しおいるこずを瀺したす。 hBN 局の最適な厚さ (箄 2 nm) では、顕著なトンネル電流ず、発光再結合のための埋め蟌みキャリアの寿呜の延長が芳察されたす。

゚レクトロルミネッセンス実隓を行う前に、角床分解癜色光反射率によっおデバむスの特性を評䟡し、匷い励起子結合の存圚を確認したした。

Li-Fi の未来: ポラリトン、励起子、光子、および二硫化タングステンの䞀郚
画像 #2

画像䞊 2а デバむスのアクティブ領域からの角床分解反射率スペクトルが瀺されおおり、亀差防止動䜜が実蚌されおいたす。 フォトルミネッセンス (PL) も非共鳎励起 (460 nm) で芳察され、䞋郚ポラリトン ブランチからの匷い発光ず䞊郚ポラリトン ブランチからの匱い発光が瀺されたした (2b).

На 2c 図は、泚入率 0.1 ÎŒA/ÎŒm2 におけるポラリトン゚レクトロルミネッセンスの分散を瀺しおいたす。 発振噚モヌド実線ず癜砎線をEL実隓に圓おはめるこずによっお埗られたラビ分割ずキャビティ離調は、それぞれ33 meVず-13 meVです。 共振噚の離調は、Ύ = Ec − Ex ずしお定矩されたす。ここで、Ex は励起子゚ネルギヌ、Ec は面内のれロ運動量共振噚光子゚ネルギヌを瀺したす。 スケゞュヌル 2d これは、゚レクトロルミネッセンス分散液をさたざたな角床で切り取ったものです。 ここでは、励起子共鳎ゟヌンで発生する逆亀差を䌎う䞊郚および䞋郚ポラリトン モヌドの分散がはっきりず芋えたす。

Li-Fi の未来: ポラリトン、励起子、光子、および二硫化タングステンの䞀郚
画像 #3

トンネル電流が増加するず、党䜓的な EL 匷床が増加したす。 ポラリトンからの匱い EL が閟倀シフト付近で芳察されたす (3а)、しきい倀を超える十分に倧きな倉䜍では、ポラリトンの攟出が明確になりたす (3b).

画像䞊 3c 図は、角床の関数ずしおのEL匷床の極プロットを瀺し、±15°の狭い発光円錐を瀺しおいたす。 攟射パタヌンは、最小励起電流 (緑色の曲線) ず最倧励起電流 (オレンゞ色の曲線) の䞡方で実質的に倉化したせん。 の䞊 3d は、さたざたな移動トンネル電流の積分匷床を瀺しおいたす。グラフからわかるように、これは非垞に線圢です。 したがっお、電流を高い倀に増やすず、䞋郚ブランチに沿っおポラリトンがうたく散乱され、ポラリトンの生成により非垞に狭い攟射パタヌンが䜜成される可胜性がありたす。 ただし、この実隓では、hBN トンネル バリアの絶瞁砎壊に関連する制限により、これを達成するこずはできたせんでした。

赀い点が付いおいたす 3d 別のむンゞケヌタヌの枬定倀を衚瀺 - 倖郚 量子効率*.

量子効率* — 吞収された光子の総数に察する、その吞収により準粒子の圢成を匕き起こした光子の数の比率。

芳察された量子効率は、他のポラリトン LED (有機材料、カヌボン チュヌブなどに基づく) の量子効率に匹敵したす。 研究䞭のデバむスでは発光局の厚さがわずか0.7 nmであるのに察し、他のデバむスではこの倀ははるかに倧きいこずに泚目する䟡倀がありたす。 科孊者らは、デバむスの量子効率が最高ではないずいう事実を隠しおいないが、トンネルゟヌン内にhBNの薄い局で分離されたより倚くの単局を配眮するこずで、量子効率を高めるこずができる。

研究者らはたた、より匷力な離調-43 meVを䌎う別のデバむスを䜜成しお、ポラリトン EL に察する共振噚離調の圱響をテストしたした。

Li-Fi の未来: ポラリトン、励起子、光子、および二硫化タングステンの䞀郚
画像 #4

画像䞊 4а このようなデバむスの角床分解胜を備えた EL スペクトルは、電流密床 0.2 ÎŒA/ÎŒm2 で瀺されおいたす。 匷い離調により、デバむスは EL で顕著なボトルネック効果を瀺し、発光最倧倀が倧きな角床で発生したす。 これは画像でさらに確認されたす 4bここで、このデバむスの極座暙グラフが最初のものず比范されたす (2c).

研究のニュアンスをより詳しく知りたい堎合は、以䞋を参照するこずをお勧めしたす。 科孊者の報告.

フィナヌレ

したがっお、䞊蚘のすべおの芳察および枬定は、光マむクロキャビティ内に構築されたvdWヘテロ構造におけるポラリトン゚レクトロルミネッセンスの存圚を確認する。 研究䞭のデバむスのトンネル構造により、発光䜓ずしお機胜するWS2単局での電子/正孔の導入ず再結合が確実に行われたす。 デバむスのトンネル機構はコンポヌネントの合金化を必芁ずしないこずが重芁であり、これにより損倱やさたざたな枩床関連の倉化が最小限に抑えられたす。

ELは共振噚の分散により高い指向性を持぀こずが分かりたした。 したがっお、共振噚品質係数の改善ずより高い電流䟛絊により、埮小共振噚 LED だけでなく、電気的に制埡される埮小共振噚ポラリトンやフォトニック レヌザヌの効率も向䞊したす。

この研究により、遷移金属ゞカルコゲニドが真にナニヌクな特性ず非垞に幅広い甚途を持っおいるこずが再床確認されたした。

このような研究や革新的な発明は、LEDや光そのものを䜿ったデヌタ䌝送技術の開発ず普及に倧きな圱響を䞎える可胜性がありたす。 このような未来的なテクノロゞヌには、珟圚利甚可胜な Wi-Fi よりも倧幅に高速な Li-Fi が含たれたす。

読んでいただきありがずうございたす。奜奇心を持ち続けお、玠晎らしい䞀週間をお過ごしください。 🙂

い぀もご宿泊いただきありがずうございたす。 私たちの蚘事が気に入っおいたすか? もっず興味深いコンテンツを芋たいですか? 泚文したり、友人に勧めたりしお私たちをサポヌトしおください。 Habr ナヌザヌは、圓瀟があなたのために発明した、゚ントリヌレベルのサヌバヌに䌌たナニヌクな補品を 30% 割匕でご利甚いただけたす。 VPS (KVM) E5-2650 v4 (6 コア) 10GB DDR4 240GB SSD 1Gbps 20 ドルからの真実、たたはサヌバヌを共有する方法? (RAID1 および RAID10、最倧 24 コア、最倧 40GB DDR4 で利甚可胜)。

Dell R730xdは2倍安い ここだけ 2 x Intel TetraDeca-Core Xeon 2x E5-2697v3 2.6GHz 14C 64GB DDR4 4x960GB SSD 1Gbps 100 TV 199 ドルから オランダで Dell R420 - 2x E5-2430 2.2Ghz 6C 128GB DDR3 2x960GB SSD 1Gbps 100TB - 99 ドルから! に぀いお読む むンフラストラクチャヌ䌁業を構築する方法730 ペニヌで 5 ナヌロの䟡倀がある Dell R2650xd E4-9000 vXNUMX サヌバヌを䜿甚したクラスですか?

出所 habr.com

コメントを远加したす