世界で唯一のディスクリート磁気抵抗 MRAM メモリ チップの開発者である Everspin Technologies は、生産技術の向上を続けています。 現在 Everspin と GlobalFoundries 12nm規格のSTT-MRAMマイクロ回路とFinFETトランジスタの製造技術を開発するために共同で取り組んでいます。
Everspin は、MRAM メモリに関連する 650 を超える特許と出願を保有しています。 これはメモリであり、そのセルへの書き込みは、ハードディスクの磁気プレートに情報を書き込むのと同様です。 マイクロ回路の場合にのみ、各セルが独自の（条件付き）磁気ヘッドを持ちます。 これに代わる STT-MRAM メモリは、電子スピン運動量伝達効果に基づいており、書き込みおよび読み取りモードで使用する電流が低いため、さらに低いエネルギーコストで動作します。
当初、Everspin が発注した MRAM メモリは、NXP の米国工場で生産されていました。 2014 年、Everspin は GlobalFoundries と共同作業契約を締結しました。 彼らは共同して、より高度な製造プロセスを使用したディスクリートおよび組み込み MRAM (STT-MRAM) 製造プロセスの開発を開始しました。
時間が経つにつれて、GlobalFoundries の施設は 40 nm および 28 nm STT-MRAM チップ (新製品である 1 G ビットのディスクリート STT-MRAM チップで終了) の生産を開始し、STT を統合するための 22FDX プロセス技術も準備しました。 FD-SOI ウェーハ上の 22 nm nm プロセス技術を使用して、MRAM をコントローラにアレイ化します。 Everspin と GlobalFoundries の間の新たな合意は、STT-MRAM チップの生産を 12 nm プロセス技術に移行することにつながります。
MRAM メモリは SRAM メモリの性能に近づいており、モノのインターネットのコントローラーで MRAM メモリを置き換えることができる可能性があります。 同時に、不揮発性であり、従来の NAND メモリよりも耐摩耗性がはるかに優れています。 12 nm 標準への移行により MRAM の記録密度が増加しますが、これが MRAM の主な欠点です。
出所： 3dnews.ru