Intel Architecture Day 2020 で、同社は 3D NAND テクノロジーについて話し、開発計画の最新情報を提供しました。 2019 年 128 月、Intel は、業界の多くが開発を進めてきた 144 層 NAND フラッシュをスキップし、144 層 NAND フラッシュへの直接の移行に注力すると発表しました。 同社は現在、XNUMX層QLC NANDフラッシュメモリがすでに完成していると発表した。
さらに、インテルは 2020 年末までに 144 層 QLC NAND ベースのドライブを市場にリリースしたいと考えています。 このようなチップは、同じインテルの 50 層 QLC NAND と比較して 96% 高いデータ記憶密度を提供します。 言い換えれば、このようなチップにより、フラッシュメモリは従来の磁気ハードドライブ市場への進出を続けることができるようになる。
Intel が開発しているのは不揮発性 NAND メモリだけではありません。2015 年に同社は 3D XPoint と呼ばれる新しいテクノロジーを導入しました。 この新しいメディアは、DRAM と 3D NAND の間のニッチを占めます。 非常に高速な速度を提供でき、不揮発性でもあります。 Intelは、さまざまな種類のメモリのセルアーキテクチャの違いを明確に示すスライドを示しました。
3 つの DRAM セルは 3D XPoint よりもはるかに大きく、最後のセルは XNUMXD NAND QLC よりも大幅に大きく、最大 XNUMX ビットの情報を保存できます。 Intel によれば、これは、RAM が今後も非常に制限され続ける理由と、さまざまなタイプのメモリ階層が必要になる理由を浮き彫りにします。 Intel は、データ空間がゼタバイトに成長し続けるにつれて、さまざまなタイプのより高密度のドライブが必要になると考えています。
Intel Storage チームからのもう 2017 つの大きなニュースは、Intel Optane に関するものでした。 同社は 2 年に最初の Optane ドライブをリリースし、それ以来多くのことを学んできました。 Intel は現在、第 4.0 世代 Optane SSD の開発に取り組んでいます。特に、PCIe XNUMX インターフェイスを使用することが確認されています。
インテルは、第 1 世代の 2017 倍以上のパフォーマンスを目指しました。 第 2020 世代インテル Optane メモリーは 2 年にデュアルデッキ設計を採用し、第 XNUMX 世代 Optane メモリーは XNUMX 年にクアッドデッキ設計になる予定です。 したがって、Intel は Optane のデータ密度も XNUMX 倍にし、容量の増加とギガバイトあたりのコストの削減につながるはずです。
最後に、Intel は、Thunderbolt 4.0 と USB 4 のネイティブ サポートとともに、Intel Tiger Lake プロセッサで PCIe 4 がサポートされることを確認しました。
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出所： 3dnews.ru