繰り返し報じてきたように、今年末に向けて中国で64層3D NANDメモリの量産が始まる。メモリメーカーの長江記憶科技（YMTC）とその親会社である清華聯合集団は、これについて一度や二度ではなく話し合ってきた。による 、64層128ギガビットYMTCチップの量産は第XNUMX四半期に始まる可能性がある。そのような記憶のサンプルの配布、 TrendForce の DRAMeXchange アナリストは、今年の第 300 四半期に設立されました。現在、YMTCの最初の32mmシリコンウェーハ処理工場が位置する武漢の施設では、数量限定の64層3GビットXNUMXD NANDを生産している。
中国のメーカーは 32 層 3D NAND の量産を開始せず、多かれ少なかれ競争力のある 128 ギガビット 64 層 NAND フラッシュの生産にできるだけ早く移行するという目標に焦点を当てました。これにより、来年、最初のYMTC工場で月産60万枚の300mmウェーハレベルの生産量への道が開かれることになる。このような量は、それぞれ月に最大 200 万枚の基板を処理する Samsung、SK Hynix、または Micron の能力と比較することはできません。しかし、これらの大量の中国製 3D NAND はメーカーにとって市場のマイナス傾向を悪化させる可能性があり、DRAMeXchange が自信を持っているように、来年の NAND メモリおよびそのようなメモリをベースにした製品の市場に大きな影響を与えることは間違いありません。
ちなみに、経験豊富な競技者自身が YMTC に有利なスタートを切ります。今年、過剰生産を抑制するために、市場リーダーは産業ラインの開発への投資を削減し、現在の 5D NAND チップの生産量を部分的に (15 ～ 3%) 削減しています。これは、92～96層ではなく3～64層の72D NANDの量産への移行が遅れ、来年まで延期されることを意味する。これにより、128 層 3D NAND のリリースへのリーダーの移行も遅れることになります。これに対し、YMTCは投資を減らさないだけでなく、96層3D NANDの発売を意図的に見送り、来年すぐに128層メモリの生産を開始する予定だ。この技術的進歩により、中国と米国および韓国の競合企業との差はXNUMX～XNUMX年に縮まるだろうが、これも業界のベテランにとっては良い前兆ではない。
出所： 3dnews.ru