小さくおも倧胆新蚘録を打ち立おた小型線圢粒子加速噚

小さくおも倧胆新蚘録を打ち立おた小型線圢粒子加速噚

「倚ければ倚いほど匷力である」ずいうよく知られた原則は、科孊や技術を含む瀟䌚の倚くの分野で長い間確立されおきたした。 しかし、珟代の珟実では、「小さいながらも匷力」ずいう蚀葉が実際に実践されるこずがたすたす䞀般的になり぀぀ありたす。 これは、以前は郚屋党䜓を占めおいたが、珟圚は子䟛の手のひらに収たるコンピュヌタず荷電粒子加速噚の䞡方に珟れおいたす。 そうです、その印象的な寞法 (長さ 26 m) が文字通りその名前に瀺されおいる倧型ハドロン衝突型加速噚 (LHC) を芚えおいたすか? したがっお、DESYの科孊者らによるず、これはすでに過去のものであり、フルサむズの前モデルず比べお性胜が劣らない小型バヌゞョンの加速噚を開発したした。 さらに、このミニ加速噚は、埋め蟌たれた電子の゚ネルギヌを659倍にし、テラヘルツ加速噚の䞭で新しい䞖界蚘録を打ち立おたした。 小型加速噚はどのように開発されたのか、その基本原理は䜕なのか、そしお実際の実隓で䜕がわかったのか。 研究グルヌプの報告曞はこのこずを知るのに圹立぀だろう。 行く。

研究根拠

ミニ加速噚を開発した DESY (ドむツ電子シンクロトロン) の匵東方氏ずその同僚によるず、超高速電子源は珟代瀟䌚の生掻においお非垞に重芁な圹割を果たしおいたす。 それらの倚くは、医孊、゚レクトロニクス開発、科孊研究に登堎したす。 高呚波発振噚を䜿甚する珟圚の線圢加速噚の最倧の問題は、コストが高く、むンフラが耇雑で、消費電力が倧きいこずです。 そしお、そのような欠点により、幅広いナヌザヌがそのようなテクノロゞヌを利甚できるこずが倧幅に制限されたす。

これらの明癜な問題は、サむズず消費電力が恐怖を匕き起こさないデバむスを開発する倧きな動機ずなりたす。

この業界で比范的目新しいものの䞭には、次のような倚くの「利点」があるテラヘルツ加速噚がありたす。

  • テラヘルツ攟射線の短波および短パルスは閟倀を倧幅に䞊昇させるず予想されたす。 壊す*、堎によっお匕き起こされ、加速床募配が増加したす。

電気的故障* - 臚界を超える電圧が印加されるず、電流匷床が急激に増加したす。

  • 高磁堎テラヘルツ攟射線を発生させる効果的な方法の存圚により、電子ず励起磁堎の内郚同期が可胜になりたす。
  • このようなデバむスの䜜成には埓来の方法を䜿甚できたすが、コスト、補造時間、サむズが倧幅に削枛されたす。

科孊者らは、同瀟のミリメヌトルスケヌルのテラヘルツ加速噚は、珟圚利甚可胜な埓来の加速噚ず開発䞭のマむクロ加速噚の間の劥協点であるず信じおいるが、寞法が非垞に小さいために倚くの欠点がある。

研究者らは、テラヘルツ加速技術が以前から開発されおいるこずを吊定しおいない。 しかし、圌らの意芋では、この分野にはただ研究、テスト、実装されおいない偎面がたくさんありたす。

私たちが今日怜蚎しおいる圌らの研究では、科孊者たちは STEAM の胜力を実蚌しおいたす (セグメント化されたテラヘルツ電子加速噚およびマニピュレヌタヌ) - セグメント化されたテラヘルツ電子加速噚およびマニピュレヌタヌ。 STEAM を䜿甚するず、電子ビヌムの長さをサブピコ秒の継続時間たで短瞮できるため、加速段階でフェムト秒の制埡が可胜になりたす。

200 MV/m (MV - メガボルト) の加速堎を達成するこずができ、70 keV の゚ネルギヌを持぀埋め蟌たれた電子ビヌムから 55 keV (キロ電子ボルト) を超える蚘録的なテラヘルツ加速をもたらしたした。 このようにしお、125keVたでの加速電子が埗られた。

デバむスの構造ず実装

小さくおも倧胆新蚘録を打ち立おた小型線圢粒子加速噚
画像 No. 1: 研究䞭のデバむスの図。

小さくおも倧胆新蚘録を打ち立おた小型線圢粒子加速噚
画像 No. 1-2: a - 開発された 5 局セグメント構造の図、b - 蚈算された加速床ず電子䌝播方向の比。

電子線55keVは、 電子銃* テラヘルツSTEAMバンチャヌビヌム圧瞮機に導入され、その埌STEAMラむナックに送られたすリニアアクセラレヌタ*).

電子銃* — 必芁な構成ず゚ネルギヌの電子ビヌムを生成する装眮。

リニアアクセラレヌタ* - 荷電粒子がその構造を 1 回だけ通過する加速噚。これにより、線圢加速噚ず環状加速噚 (LHC など) が区別されたす。

どちらの STEAM デバむスも、単䞀の近赀倖 (NIR) レヌザヌからテラヘルツ パルスを受け取り、電子銃の光電陰極も点火し、電子ず加速堎の間で内郚同期が行われたす。 光電陰極での光電子攟出のための玫倖線パルスは、XNUMX ぀の連続した段階を通じお生成されたす。 GVG* 近赀倖線の基本波長。 このプロセスでは、1020 nm のレヌザヌ パルスが最初に 510 nm に倉換され、次に 255 nm に倉換されたす。

GVG* 光第二高調波発生は、非線圢材料ずの盞互䜜甚䞭に同じ呚波数の光子を結合するプロセスであり、゚ネルギヌず呚波数が XNUMX 倍、波長が半分の新しい光子が圢成されたす。

NIR レヌザヌ ビヌムの残りの郚分は 4 ぀のビヌムに分割され、パルス内呚波数差を生成するこずによっお XNUMX ぀の単䞀サむクル テラヘルツ パルスを生成するために䜿甚されたす。

次に、XNUMX ぀のテラヘルツ パルスは、電子の䌝播方向を暪切っお盞互䜜甚領域にテラヘルツ ゚ネルギヌを導く察称ホヌン構造を介しお各 STEAM デバむスに送られたす。

電子が各 STEAM デバむスに入るず、電気および磁気コンポヌネントにさらされたす。 ロヌレンツ力*.

ロヌレンツ力* - 電磁堎が荷電粒子に䜜甚する力。

この堎合、電界は加速ず枛速の原因ずなり、磁界は暪方向の偏向を匕き起こしたす。

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画像 #2

画像でわかるように 2а О 2b, 各STEAMデバむスの内郚では、テラヘルツビヌムは薄い金属シヌトによっお暪方向に厚さの異なるいく぀かの局に分割され、各局が導波路ずしお機胜し、総゚ネルギヌの䞀郚を盞互䜜甚領域に䌝達したす。 テラヘルツの到達時間を調敎するために、各局には誘電䜓プレヌトもありたす。 波面* 電子の前で。

波面* - 波が到達した衚面。

どちらの STEAM デバむスも電気モヌドで動䜜したす。぀たり、盞互䜜甚領域の䞭心に電堎を印加し、磁堎を抑制するような方法です。

最初のデバむスでは、電子が通過するタむミングが調敎されたす。 れロクロス* テラヘルツ堎では、電堎の時間募配が最倧化され、平均電堎が最小化されたす。

れロクロス* - 緊匵感がないポむント。

この構成により、電子ビヌムの尟郚が加速し、その頭郚が枛速し、その結果、匟道瞊方向の集束が生じたす (2а О 2c).

XNUMX 番目のデバむスでは、電子ビヌムがテラヘルツ電堎の負のサむクルのみを受けるように、電子ずテラヘルツ攟射線の同期が蚭定されたす。 この構成により、正味連続加速が実珟したす (2b О 2d).

NIR レヌザヌは極䜎枩に冷华された Yb:YLF システムで、波長 1.2 nm、繰り返し率 50 Hz で持続時間 1020 ps、゚ネルギヌ 10 mJ の光パルスを生成したす。 そしお、傟斜パルスフロント法により䞭心呚波数0.29テラヘルツ(呚期3.44ps)のテラヘルツパルスを発生させたす。

STEAMバンチャヌビヌム圧瞮機に電力を䟛絊するために䜿甚されたテラヘルツ゚ネルギヌはわずか2×50nJであり、STEAMラむナック線圢加速噚には2×15mJが必芁でした。

䞡方の STEAM デバむスの入口穎ず出口穎の盎埄は 120 ミクロンです。

ビヌム コンプレッサヌは、同じ高さ (0 mm) の 225 ぀の局で蚭蚈されおおり、タむミングを制埡するために長さ 4.41 および 0.42 mm の石英ガラス プレヌト (ϵr = 0.84) が装備されおいたす。 コンプレッサヌ局の高さが等しいこずは、加速がないずいう事実を反映しおいたす (2c).

しかし、線圢加速噚では、高さはすでに異なりたす - 0.225、0.225、および0.250 mm+溶融石英プレヌト0.42および0.84 mm。 局の高さの増加は、加速䞭の電子の速床の増加を説明したす。

科孊者らは、局の数が XNUMX ぀のデバむスそれぞれの機胜に盎接関䞎しおいるこずに泚目しおいたす。 たずえば、より高い加速率を達成するには、盞互䜜甚を最適化するためにより倚くの局ず異なる高さの構成が必芁になりたす。

実践実隓結果

第䞀に、研究者らは、埓来の高呚波加速噚では、埋め蟌たれた電子ビヌムの時間的範囲が加速ビヌムの特性に䞎える圱響は、到達するビヌム内の異なる電子の盞互䜜甚䞭に経隓する電堎の倉化によるものであるこずを思い出させたす。さたざたな時間に。 したがっお、より高い募配の磁堎ずより長い持続時間のビヌムにより、より倧きな゚ネルギヌの広がりがもたらされるこずが期埅できたす。 長時間照射されたビヌムも倀が高くなる可胜性がありたす ゚ミッタンス*.

゚ミッタンス* — 加速された荷電粒子ビヌムが占める䜍盞空間。

テラヘルツ加速噚の堎合、励起堎の呚期は玄200分のXNUMXになりたす。 したがっお、 テンション* サポヌトされるフィヌルドは 10 倍になりたす。

電界匷床* - 電堎の指暙。電堎の特定の点に眮かれた静止点電荷に加えられる力ず、この電荷の倧きさの比に等しい。

したがっお、テラヘルツ加速噚では、電子が経隓する堎の募配は、埓来の装眮よりも数桁倧きくなる可胜性がありたす。 像面湟曲が顕著になる時間スケヌルは倧幅に小さくなりたす。 このこずから、導入された電子ビヌムの持続時間はより顕著な圱響を䞎えるこずがわかりたす。

科孊者たちはこれらの理論を実際にテストするこずにしたした。 これを行うために、圌らは異なる持続時間の電子ビヌムを導入し、最初の STEAM デバむス (STEAM バンチャヌ) を䜿甚しお圧瞮によっお制埡したした。

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画像 #3

コンプレッサヌが電源に接続されおいない堎合、玄 55 fC (フェムトクヌロン) の電荷を持぀電子ビヌム (1 keV) が電子銃から線圢加速噚装眮 (STEAM-linac) たで玄 300 mm を通過したした。 これらの電子は、空間電荷力の圱響䞋で最倧 1000 fs (フェムト秒) を超える持続時間たで膚匵する可胜性がありたす。

この期間では、電子ビヌムは呚波数 60 ps の加速堎の半波長の玄 1,7% を占め、その結果、ピヌクが 115 keV で゚ネルギヌ分垃の半倀幅を持぀加速埌の゚ネルギヌ スペクトルが埗られたした。 60keVを超える3а).

これらの結果を予想された結果ず比范するために、電子が最適な泚入時間ず同期しおいない぀たり、同期しおいない堎合の線圢加速噚を通る電子䌝播の状況をシミュレヌトしたした。 この状況を蚈算するず、電子゚ネルギヌの増加は、サブピコ秒の時間スケヌルに至るたで、泚入の瞬間に倧きく䟝存するこずがわかりたした (3b。 ぀たり、最適な蚭定では、電子は各局でテラヘルツ攟射の加速の完党な半サむクルを経隓したす3c).

電子が異なる時間に到着するず、最初の局での加速が小さくなり、電子が最初の局を通過するのに時間がかかりたす。 その埌、埌続のレむダヌで非同期が増加し、望たしくない速床の䜎䞋を匕き起こしたす (3d).

電子ビヌムの時間的延長による悪圱響を最小限に抑えるために、最初の STEAM デバむスは圧瞮モヌドで動䜜したした。 線圢加速噚での電子ビヌムの継続時間は、コンプレッサヌに䟛絊されるテラヘルツ゚ネルギヌを調敎し、線圢加速噚をハッチモヌドに切り替えるこずにより、最小玄 350 fs (半倀幅) に最適化されたした (4b).

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画像 #4

最小ビヌム持続時間は、光電陰極 UV パルスの持続時間に埓っお蚭定され、玄 600 fs でした。 コンプレッサヌずストリップの間の距離も重芁な圹割を果たし、増粘力の速床を制限したす。 これらの察策を組み合わせるこずで、加速フェヌズの泚入フェヌズでフェムト秒の粟床が可胜になりたす。

画像䞊 4а 線圢加速噚で最適化された加速埌の圧瞮電子ビヌムの゚ネルギヌ広がりは、非圧瞮電子ビヌムず比范しお玄 4 倍枛少するこずがわかりたす。 加速により、圧瞮されおいないビヌムずは察照的に、圧瞮されたビヌムの゚ネルギヌ スペクトルはより高い゚ネルギヌの方ぞシフトしたす。 加速埌の゚ネルギヌ スペクトルのピヌクは玄 115 keV で、高゚ネルギヌのテヌルは玄 125 keV に達したす。

科孊者の控えめな声明によれば、これらの数倀はテラヘルツ範囲における新しい加速蚘録加速前は70keVであったである。

しかし、゚ネルギヌの分散を枛らすために4а)、さらに短いビヌムを実珟する必芁がありたす。

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画像 #5

非圧瞮導入ビヌムの堎合、電流に察するビヌム サむズの攟物線䟝存性により、氎平方向ず垂盎方向の暪方向゚ミッタンスが明らかになりたす: εx,n = 1.703 mm*mrad および εy,n = 1.491 mm*mrad (5а).

圧瞮により、暪方向゚ミッタンスは 6 倍向䞊し、εx,n = 0,285 mm*mrad (æ°Žå¹³) および εy,n = 0,246 mm*mrad (垂盎) になりたした。

゚ミッタンスの枛少の床合いは、ビヌム持続時間の枛少の床合いの玄 XNUMX 倍であるこずに泚目する䟡倀がありたす。これは、電子が加速䞭に磁堎の匷い集束ず非集束を経隓するずきの時間に察する盞互䜜甚ダむナミクスの非線圢性の尺床です (5b О 5c).

画像䞊 5b 最適なタむミングで導入された電子が電界加速の半サむクル党䜓を経隓するこずがわかりたす。 しかし、最適な時間の前埌に到着した電子は加速が鈍くなり、堎合によっおは郚分的に枛速するこずもありたす。 倧たかに蚀えば、そのような電子は最終的に゚ネルギヌが少なくなりたす。

磁堎にさらされた堎合にも同様の状況が芳察されたす。 最適なタむミングで泚入された電子は、察称量の正ず負の磁堎を経隓したす。 電子の導入が最適な時期より前に行われた堎合、より倚くの正の磁堎が存圚し、より少ない負の磁堎が存圚したす。 電子が最適な時間よりも遅れお導入されるず、正の電子が枛り、負の電子が増えたす (5c。 そしお、そのような偏りは、軞に察する電子の䜍眮に応じお電子が巊、右、䞊、たたは䞋に偏る可胜性があるずいう事実に぀ながり、ビヌムの集束たたは焊点がけに察応する暪方向の運動量の増加に぀ながりたす。

研究のニュアンスをより詳しく知りたい堎合は、以䞋を参照するこずをお勧めしたす。 科孊者の報告 О 远加資料 圌に。

フィナヌレ

芁玄するず、電子ビヌムの持続時間が短瞮されるず、加速噚の性胜は向䞊したす。 この䜜業では、達成可胜なビヌム持続時間は蚭眮の圢状によっお制限されたした。 しかし、理論的には、ビヌム持続時間は 100 fs 未満に達する可胜性がありたす。

科孊者らは、局の高さを枛らし、局の数を増やすこずでビヌムの品質をさらに向䞊できるこずにも泚目しおいたす。 しかしながら、この方法には問題がないわけではなく、特にデバむスの補造の耇雑さが増倧する。

この研究は、線圢加速噚の小型バヌゞョンのより広範で詳现な研究の初期段階です。 テストされたバヌゞョンはすでに蚘録砎りず呌ぶにふさわしい玠晎らしい結果を瀺しおいるずいう事実にもかかわらず、やるべきこずはただたくさんありたす。

読んでいただきありがずうございたす。奜奇心を持ち続けお、玠晎らしい䞀週間をお過ごしください。 🙂

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出所 habr.com

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