半導体製品開発の代替アプローチについて説明します。
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圧電トランジスタ
このようなデバイスの構造には、圧電コンポーネントとピエゾ抵抗コンポーネントが含まれています。 XNUMX つ目は、電気インパルスを音インパルスに変換します。 XNUMX 番目のものはこれらの音波を吸収して圧縮し、それに応じてトランジスタを開閉します。 サマリウムセレン化物 (
IBM は、圧電トランジスタの概念を最初に導入した企業の XNUMX つです。 同社のエンジニアはこの分野の開発に従事しています
圧電トランジスタは、シリコンデバイスよりも大幅に少ないエネルギーを消費します。 テクノロジー第一
圧電トランジスタは、データセンターのサーバープロセッサにも応用できます。 この技術により、ハードウェアのエネルギー効率が向上し、データセンター運営者の IT インフラストラクチャのコストが削減されます。
トンネルトランジスタ
半導体デバイスメーカーにとっての主な課題の XNUMX つは、低電圧でスイッチングできるトランジスタを設計することです。 トンネルトランジスタはこの問題を解決できます。 このようなデバイスは次を使用して制御されます。
したがって、外部電圧が印加されると、電子が誘電体障壁を乗り越える可能性が高くなるため、トランジスタのスイッチングが速くなります。 その結果、デバイスの動作に必要な電圧は数分のXNUMXで済みます。
MIPT と日本の東北大学の科学者はトンネル トランジスタを開発しています。 彼らは二層グラフェンを使用して、
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さまざまな時期に、グラフェンに加えて、さまざまな材料を使用してトンネル トランジスタのプロトタイプが実装されました。
スピントランジスタ
彼らの研究は電子スピンの動きに基づいています。 スピンは外部磁場の助けを借りて動き、スピンを一方向に整えてスピン流を形成します。 この電流で動作するデバイスは、シリコン トランジスタに比べてエネルギー消費が XNUMX 分の XNUMX です。
スピンデバイスの主な利点
です 彼らの多才さ。 これらは、情報記憶装置、情報を読み取る検出器、および情報をチップの他の要素に送信するスイッチの機能を組み合わせています。
スピントランジスタの概念を開拓したと考えられている
金属対空気トランジスタ
核となる金属空気トランジスタの動作原理と設計は、トランジスタを彷彿とさせます。
ドレインとソースは相互に XNUMX ナノメートルの距離に設定されているため、電子は空気層を自由に通過できます。 荷電粒子の交換は次の理由で起こります。
金属対空気トランジスタの開発
開発者らによると、新型トランジスタの動作周波数は数百ギガヘルツを超えるという。 テクノロジーを大衆に公開すると、コンピューティング システムの機能が拡張され、データ センターのサーバーのパフォーマンスが向上します。
チームは現在、研究を続けて技術的な問題を解決するための投資家を探しています。 ドレイン電極とソース電極は電界の影響で溶けてしまい、トランジスタの性能が低下します。 彼らは今後数年間でこの欠陥を修正する予定だ。 この後、エンジニアは製品を市場に出すための準備を開始します。
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出所: habr.com